已有容量为2KX8的SRAM芯片，用4 片这样的芯片构成8KX8 位的存储模块，分析各芯片的地址范围，芯片从右向左依次编号 0、1、2和 3，假设系统地址

范围为0x0000~0x1FFF，则每个SRAM芯片的地址范围为0x0000~0x0FFF。将4片这样的芯片构成8KX8位的存储模块，需要使用地址线A13来选择使用的芯片，因为A13是地址线中第14位，如果A13为0，则使用编号为0和1的两片芯片，如果A13为1，则使用编号为2和3的两片芯片。因此，编号为0和1的两片芯片的地址范围为0x0000~0x0FFF，编号为2和3的两片芯片的地址范围为0x1000~0x1FFF。

相关问题

利用多片 512K×8 位的 SRAM 芯片设计存储容量为 2M×8 位的 SRAM 存储器

要设计一个存储容量为2M×8位的SRAM存储器，可以采用以下步骤：

1. 根据存储器容量和数据位宽度，计算需要的SRAM芯片数量。在这种情况下，需要4片512K×8位的SRAM芯片。

2. 将每个SRAM芯片的地址线和数据线连接到一个地址/数据复用器上。这将允许在相同的地址线和数据线上访问多个SRAM芯片。

3. 使用一个地址解码器来选择要访问的SRAM芯片。这将使得每个芯片都有自己的特定地址范围。

4. 在每个SRAM芯片上设置写使能和读使能信号。这些信号将控制何时可以对SRAM进行写入和读取操作。

5. 最后，将所有的信号和线路连接在一起，并进行验证和测试，以确保存储器可以正常工作。

需要注意的是，这只是一个基本的设计概述，实际设计需要更详细的考虑和规划。同时，由于SRAM芯片的价格较高，这种设计可能不是最经济和实用的解决方案。

利用多片1K×4位的SRAM芯片设计存储容量为2K×8位的SRAM存储器，画电路图

抱歉，作为一个语言模型AI，我并不支持绘制电路图。不过我可以为您提供一些思路和步骤：

1. 由于每片SRAM芯片只有1K×4位的存储容量，因此需要使用两片SRAM芯片叠加设计，以实现2K×8位的存储容量；
2. 按照双列线性排列的方式，将两片SRAM芯片分别接到地址线、数据线、控制线和电源线上；
3. 设计地址译码器，将8位地址线转换为4位片选信号和4位地址线，用于选择对应的SRAM芯片及其内部的地址；
4. 连接读写控制线，用于控制SRAM芯片的读写操作；
5. 连接时序控制线，用于控制SRAM芯片的访问时序；
6. 连接电源线，确保SRAM芯片能够正常工作。

希望这些信息对您有所帮助！