stm32G0的FLASH掉电保护代码
时间: 2023-10-07 21:14:02 浏览: 99
STM32通过PVD掉电检测实现,然后读写内部flash实现掉电数据存储的代码
STM32G0系列微控制器的FLASH掉电保护主要是通过使用Option Byte来实现的,Option Byte是一种特殊的存储器,它可以用来配置某些芯片的特殊功能。在STM32G0系列中,Option Byte用于配置FLASH的读写保护、掉电保护等功能。
下面是一个简单的STM32G0 FLASH掉电保护代码示例:
```c
#include "stm32g0xx_hal.h"
void HAL_FLASH_OB_Lock(void);
void FLASH_OB_Enable(void)
{
//解锁Option Byte寄存器
HAL_FLASH_OB_Unlock();
//使能FLASH掉电保护
FLASH_OBProgramInitTypeDef OBConfig = {0};
OBConfig.OptionType = OPTIONBYTE_WRP;
OBConfig.WRPSector = OB_WRP_SECTOR_All;
HAL_FLASHEx_OBProgram(&OBConfig);
//锁定Option Byte寄存器
HAL_FLASH_OB_Lock();
}
void FLASH_OB_Disable(void)
{
//解锁Option Byte寄存器
HAL_FLASH_OB_Unlock();
//禁止FLASH掉电保护
FLASH_OBProgramInitTypeDef OBConfig = {0};
OBConfig.OptionType = OPTIONBYTE_WRP;
OBConfig.WRPSector = OB_WRP_SECTOR_All;
OBConfig.WRPState = OB_WRPSTATE_DISABLE;
HAL_FLASHEx_OBProgram(&OBConfig);
//锁定Option Byte寄存器
HAL_FLASH_OB_Lock();
}
```
在使用该代码前,请确保你已经了解了STM32G0系列微控制器的FLASH掉电保护机制,并且已经正确配置了Option Byte。此外,还需要注意的是,该代码中使用了HAL库中的函数,如果你使用的是其他库或者直接操作寄存器,请自行修改代码。
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