半导体工艺CVD关键参数

半导体工艺中，化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）是一种广泛应用的技术，用于生长薄膜、制造纳米结构等。CVD过程的关键参数主要包括：

1. 温度 (Temperature)：这是影响材料生长速率和质量的重要因素。高温通常能促进反应更快，但过高可能导致缺陷增加。对于不同的材料系统，合适的温度范围各不相同。

2. 气压 (Pressure)：气相中的反应物压力可以影响反应速率和产物的均匀性。低压环境有助于获得更薄、更致密的膜，而高压下可能会形成多层沉积。

3. 激励源 (Excitation Source)：如激光或直流电源，用于提供能量激发气体分子进行化学反应。不同的激励模式会影响分子活化和转化效率。

4. 反应气体 (Reactive Gases)：CVD过程中使用的原料气体，其选择和比例直接影响到生成的化合物种类和性质。

5. 载气 (Carrier Gas)：有时用于输送反应气体，并且可以作为稀释剂控制反应活性或带走热量。

6. 表面处理 (Surface Treatment)：预处理表面的清洁程度和处理方式对CVD薄膜的质量有显著影响。