dry etch工作原理

回答: 在TFT-LCD制造过程中，干法刻蚀是使用RIE模式(Reactive Ion Etching Mode)进行的。干法刻蚀主要分为物理蚀刻和化学蚀刻两种方式。物理蚀刻是通过氩气(Ar)轰击wafer表面材料，由于氩气是惰性气体，不会影响plasma的化学性质，从而实现蚀刻效果。化学蚀刻则是使用含碳氟气体(CXFY)，其中F自由基与Si结合生成气态的SiF4，副产物容易被抽走。\[2\]干法刻蚀的工艺参数可以调节刻蚀速率，但实际上，刻蚀前的准备和刻蚀后的处理也会影响产量。因此，在工艺过程中，真空设备的抽气时间、吹扫时间以及物料的传送等动作都需要考量。\[3\]
#### 引用[.reference_title]
- *1* *3* [【面板制程刻蚀篇】史上最全Dry Etch 分类、工艺基本原理及良率剖析](https://blog.csdn.net/weixin_39524842/article/details/112028057)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
- *2* [4、干法蚀刻（dry etch）原理介绍](https://blog.csdn.net/weixin_39604983/article/details/111716440)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
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