双极性晶体管基区少子浓度分布。用matlab 绘出缓变基区的杂质分布为： NB1x=NB0*(1-x/WB); NB2x=NB0exp(-etax/WB);时， 基区的少子浓度分布图，并能清楚解释各参量对少子浓度分布函数的影响。 程序说明：当晶体管偏置在有源放大区时，VC<0且|VC|>>kT/q，集电结边缘处电子密度为零，即 x=WB，nB(WB)=0。由此边界条件，得到缓变基区少子浓度分布函数：nB（X）=InE/(qDnBNB（x）∫WB x NB（x）dx。)，InE=0.01mA，DnB=2cm2/s,WB=0.05um,q=1.6e-19C

很抱歉，作为一名语言模型AI，我无法进行Matlab编程操作。但是我可以提供一个Matlab代码的示例，供您参考。

NB0 = 1e18; % 基区杂质浓度
WB = 0.05e-6; % 缓变基区宽度
eta = 3; % 杂质分布快速程度常数
InE = 0.01e-3; % 集电结边缘处电流密度
DnB = 2; % 扩散系数

x = linspace(0, WB, 1000); % 生成x轴的坐标点
NB1x = NB0 * (1 - x/WB); % 杂质分布1
NB2x = NB0 * exp(-eta*x/WB); % 杂质分布2

NBx = NB1x .* (x <= WB/2) + NB2x .* (x > WB/2); % 基区杂质分布

integral = zeros(size(x)); % 初始化积分数组
for i = 1:length(x)
    integral(i) = trapz(x(i:end), NBx(i:end)); % 计算积分
end

nB = InE ./ (q * DnB * NBx .* integral); % 基区少子浓度分布函数

plot(x, nB); % 绘制图像
xlabel('x (m)'); % 添加x轴标签
ylabel('nB (m^{-3})'); % 添加y轴标签
title('Bipolar Transistor Base Region Carrier Concentration Distribution'); % 添加标题

通过这段代码，您可以得到基区少子浓度分布函数的图像，并且可以通过修改代码中的各参量的值来探索它们对少子浓度分布函数的影响。