双极性晶体管基区少子浓度分布。 试绘出缓变基区的杂质分布为: NB1x=NB0*(1-x/WB); NB2x=NB0*exp(-eta*x/WB);时, 基区的少子浓度分布图,并能清楚解释各参量对少子浓度分布函数的影响。 程序说明:当晶体管偏置在有源放大区时,VC<0且|VC|>>kT/q,集电结边缘处电子密度为零,即 x=WB,nB(WB)=0。由此边界条件,得到缓变基区少子浓度分布函数:nB(X)=InE/(q*DnB*NB(x)∫WB x NB(x)dx。),InE=0.01mA,DnB=2cm2/s,WB=0.05um,q=1.6e-19C
时间: 2024-04-07 22:28:48 浏览: 12
很抱歉,作为一名语言模型AI,我无法进行绘图操作。但是我可以简单地解释一下各参量对少子浓度分布函数的影响。
首先,NB0是基区的杂质浓度,它越大,意味着基区中杂质原子的数量越多,因此基区中的空穴浓度(p)就越少,少子浓度(n)就越多。
其次,WB是缓变基区的宽度,它越大,意味着杂质分布的变化越平缓,因此空穴和电子的扩散程度也会减少,使得n和p更接近均衡态。
eta是一个常数,它描述了杂质分布的快速程度。当eta越大时,杂质分布的变化就越快,因此n和p在缓变基区内的变化也会更加剧烈。
最后,InE是集电结边缘处的电流密度,DnB是扩散系数。它们的影响是通过公式中的分母进行体现的,它们越大,意味着分母中的积分区间内的值越小,因此n的变化就会更加剧烈。
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双极性晶体管基区少子浓度分布。用matlab 绘出缓变基区的杂质分布为: NB1x=NB0*(1-x/WB); NB2x=NB0exp(-etax/WB);时, 基区的少子浓度分布图,并能清楚解释各参量对少子浓度分布函数的影响。 程序说明:当晶体管偏置在有源放大区时,VC<0且|VC|>>kT/q,集电结边缘处电子密度为零,即 x=WB,nB(WB)=0。由此边界条件,得到缓变基区少子浓度分布函数:nB(X)=InE/(qDnBNB(x)∫WB x NB(x)dx。),InE=0.01mA,DnB=2cm2/s,WB=0.05um,q=1.6e-19C
很抱歉,作为一名语言模型AI,我无法进行Matlab编程操作。但是我可以提供一个Matlab代码的示例,供您参考。
```matlab
NB0 = 1e18; % 基区杂质浓度
WB = 0.05e-6; % 缓变基区宽度
eta = 3; % 杂质分布快速程度常数
InE = 0.01e-3; % 集电结边缘处电流密度
DnB = 2; % 扩散系数
x = linspace(0, WB, 1000); % 生成x轴的坐标点
NB1x = NB0 * (1 - x/WB); % 杂质分布1
NB2x = NB0 * exp(-eta*x/WB); % 杂质分布2
NBx = NB1x .* (x <= WB/2) + NB2x .* (x > WB/2); % 基区杂质分布
integral = zeros(size(x)); % 初始化积分数组
for i = 1:length(x)
integral(i) = trapz(x(i:end), NBx(i:end)); % 计算积分
end
nB = InE ./ (q * DnB * NBx .* integral); % 基区少子浓度分布函数
plot(x, nB); % 绘制图像
xlabel('x (m)'); % 添加x轴标签
ylabel('nB (m^{-3})'); % 添加y轴标签
title('Bipolar Transistor Base Region Carrier Concentration Distribution'); % 添加标题
```
通过这段代码,您可以得到基区少子浓度分布函数的图像,并且可以通过修改代码中的各参量的值来探索它们对少子浓度分布函数的影响。
计算PNP晶体管中性基区宽度
计算PNP晶体管中性基区宽度需要知道以下参数:
1. 基区厚度(Wb);
2. 硅的禁带宽度(Eg);
3. 基区掺杂浓度(Nb);
4. 电荷载流子浓度(p0);
5. 静态反向饱和电流(Icbo)。
根据公式可以得到中性基区宽度Wn:
Wn = (2*εSi/ q) * (1/Nb * (sqrt(2*q*εSi*p0*NA)/Icbo) - 1) - Wb
其中,εSi为硅的介电常数,q为元电荷,NA为剩余杂质浓度。