__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG

__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG是一个宏定义，用于清除STM32系列微控制器中的Flash标志位。Flash标志位是用来指示Flash操作状态的标志，例如擦除、编程或读取操作是否完成。通过使用__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG宏定义，可以清除指定的Flash标志位。

相关问题:
1. 什么是Flash标志位？
2. 如何使用__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG宏定义？
3. STM32系列微控制器中有哪些常见的Flash标志位？

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HAL_FLASHEx_Erase函数代码及解析

以下是HAL_FLASHEx_Erase函数的代码实现及解析，代码基于STM32Cube HAL库：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *SectorError)
{
  uint32_t NbSectorsToErase;
  uint32_t SectorErrorTmp;
  uint32_t SECTORErrorMask;
  HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;

  /* Check the parameters */
  assert_param(IS_FLASH_TYPEERASE(pEraseInit->TypeErase));
  assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(pEraseInit->Banks));
  assert_param(IS_FLASH_NBPAGES(pEraseInit->NbPages));

  /* Get the number of sectors to erase from 1st sector*/
  NbSectorsToErase = (pEraseInit->NbPages * FLASH_PAGE_SIZE) / FLASH_SECTOR_SIZE;

  /* Check if there are any sectors to erase */
  if (NbSectorsToErase == 0U)
  {
    return HAL_ERROR;
  }

  /* Wait for last operation to be completed */
  status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
  if (status != HAL_OK)
  {
    return status;
  }

  /* Initialize SECTORErrorMask to 0 */
  SECTORErrorMask = 0;

  /* Erase by sector by sector to have a higher granularity than the page erase */
  while (NbSectorsToErase > 0U)
  {
    /* Clear OPTVERR bit set on virgin samples */
    __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);

    /* Wait for last operation to be completed */
    status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
    if (status != HAL_OK)
    {
      break;
    }

    /* FLASH_SECTOR_0 to FLASH_SECTOR_11 are used for STM32F103xE, STM32F103xG, STM32F101xC and STM32F101xG devices */
    /* FLASH_SECTOR_0 to FLASH_SECTOR_23 are used for STM32F103xB, STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE and STM32F100xC devices */
    /* Get the sector to erase */
    uint32_t sectornb = FLASH_SECTOR_0;
    for (uint32_t i = 0; i < FLASH_SECTOR_NUMBER; i++)
    {
      if (pEraseInit->Sector & (1UL << i))
      {
        sectornb = i;
        break;
      }
    }

    /* Fill EraseInit structure*/
    pEraseInit->TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;
    pEraseInit->Sector = (uint32_t)(1U << sectornb);
    pEraseInit->NbSectors = 1;

    /* Call the erase module */
    HAL_FLASHEx_Erase_IT(pEraseInit);

    /* Wait for last operation to be completed */
    status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);

    /* If the erase operation is completed, disable the SER Bit */
    FLASH->CR &= CR_SPARE_MASK;

    if (status != HAL_OK)
    {
      /* In case of error, stop erase procedure and return the faulty sector */
      SECTORErrorMask |= pEraseInit->Sector;
      /* Save the error code */
      SectorErrorTmp |= status;
    }
    else
    {
      /*
        No error occurred in sector erase operation
        SECTORErrorMask is reset
      */
      SECTORErrorMask = 0;
    }

    /* Decrement number of sectors to erase */
    NbSectorsToErase--;

    /* Point on next sector */
    pEraseInit->Sector = (uint32_t)(pEraseInit->Sector << 1U);
  }

  /* Return the Erase Status */
  if (SectorError != NULL)
  {
    *SectorError = SectorErrorTmp;
  }
  if (SECTORErrorMask != 0U)
  {
    status = HAL_ERROR;
  }

  /* Return the erase status */
  return status;
}

HAL_FLASHEx_Erase函数的实现过程如下：

1. 检查输入参数pEraseInit是否合法。该结构体包含了要擦除的Flash扇区的相关信息，如起始地址、扇区数量和擦除方式等。

2. 计算需要擦除的Flash扇区数量，并且检查是否有扇区需要擦除。如果扇区数量为0，则直接返回错误。

3. 等待上一次Flash操作（如写入或擦除）完成，并且清除OPTVERR标志位。如果等待超时，则返回错误。

4. 循环执行Flash扇区擦除操作，直到所有需要擦除的扇区都被擦除。具体的操作包括：

- 获取需要擦除的扇区编号，该编号是一个0到11（或23）之间的整数。

- 将需要擦除的扇区信息填入FLASH_EraseInitTypeDef结构体中，并且调用HAL_FLASHEx_Erase_IT函数执行擦除操作。

- 等待Flash擦除操作完成，并且检查是否有错误发生。如果发生了错误，则保存错误信息，但是继续执行擦除操作直到所有需要擦除的扇区都被擦除。

- 将擦除完成的扇区数量减1，继续执行下一个扇区的擦除操作。

5. 返回擦除操作的结果。如果有错误发生，则返回错误代码；否则，返回HAL_OK表示操作成功。

需要注意的是，该函数执行期间会禁止中断，并且解锁Flash，并且在函数执行完毕之后会恢复中断，并且重新锁定Flash。因此，在调用该函数之前，需要确保中断不会影响到Flash的操作，并且需要适当地设置Flash的保护等级以避免意外修改Flash。

STM32g单片机HAL库函数HAL_FLASHEx_Erase代码及解析

以下是STM32G单片机HAL库函数HAL_FLASHEx_Erase的代码实现及解析：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *SectorError)
{
  uint32_t nbSectorsToErase = 0U;
  uint32_t sectorErrorTmp;
  uint32_t sectorErrorMask;
  HAL_StatusTypeDef status = HAL_OK;

  /* Check the parameters */
  assert_param(IS_FLASH_TYPEERASE(pEraseInit->TypeErase));
  assert_param(IS_FLASH_BANK_EXCLUSIVE(pEraseInit->Banks));
  assert_param(IS_FLASH_NBSECTORS(pEraseInit->NbSectors));

  /* Wait for last operation to be completed */
  status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);
  if (status != HAL_OK)
  {
    return status;
  }

  /* Clear OPTVERR bit set on virgin samples */
  __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);

  /* Get the number of sectors to erase from 1st sector*/
  nbSectorsToErase = pEraseInit->NbSectors;

  /* Check if there are any sectors to erase */
  if (nbSectorsToErase == 0U)
  {
    return HAL_ERROR;
  }

  /* Initialize sectorErrorMask to 0 */
  sectorErrorMask = 0U;

  /* Erase by sector by sector to have a higher granularity than the page erase */
  while (nbSectorsToErase > 0U)
  {
    /* Fill EraseInit structure*/
    pEraseInit->TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;

    /* Select the bank to erase */
    if (pEraseInit->Banks == FLASH_BANK_1)
    {
      pEraseInit->Bank = FLASH_BANK_1;
    }
#if defined(FLASH_BANK_2)
    else if (pEraseInit->Banks == FLASH_BANK_2)
    {
      pEraseInit->Bank = FLASH_BANK_2;
    }
#endif /* FLASH_BANK_2 */

    /* Get the sector to erase */
    uint32_t sectorNb = FLASH_SECTOR_0;
    for (uint32_t i = 0; i < FLASH_SECTOR_NUMBER; i++)
    {
      if (pEraseInit->Sector & (1UL << i))
      {
        sectorNb = i;
        break;
      }
    }
    pEraseInit->Sector = sectorNb;

    /* Call the erase module */
    HAL_FLASHEx_Erase_IT(pEraseInit);

    /* Wait for last operation to be completed */
    status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);

    /* If the erase operation is completed, disable the SER Bit */
    CLEAR_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_SER);

    if (status != HAL_OK)
    {
      /* In case of error, stop erase procedure and return the faulty sector */
      sectorErrorMask |= (1UL << sectorNb);
      /* Save the error code */
      sectorErrorTmp |= status;
    }
    else
    {
      /*
        No error occurred in sector erase operation
        sectorErrorMask is reset
      */
      sectorErrorMask = 0U;
    }

    /* Decrement number of sectors to erase */
    nbSectorsToErase--;

    /* Point on next sector */
    pEraseInit->Sector = (uint32_t)(pEraseInit->Sector << 1U);
  }

  /* Return the erase status */
  if (SectorError != NULL)
  {
    *SectorError = sectorErrorTmp;
  }
  if (sectorErrorMask != 0U)
  {
    status = HAL_ERROR;
  }

  return status;
}

HAL_FLASHEx_Erase函数的实现过程如下：

1. 检查输入参数pEraseInit是否合法。该结构体包含了要擦除的Flash扇区的相关信息，如起始地址、扇区数量和擦除方式等。

2. 等待上一次Flash操作（如写入或擦除）完成，并且清除OPTVERR标志位。如果等待超时，则返回错误。

3. 计算需要擦除的Flash扇区数量，并且检查是否有扇区需要擦除。如果扇区数量为0，则直接返回错误。

4. 循环执行Flash扇区擦除操作，直到所有需要擦除的扇区都被擦除。具体的操作包括：

- 将需要擦除的扇区信息填入FLASH_EraseInitTypeDef结构体中，并且调用HAL_FLASHEx_Erase_IT函数执行擦除操作。

- 等待Flash擦除操作完成，并且检查是否有错误发生。如果发生了错误，则保存错误信息，但是继续执行擦除操作直到所有需要擦除的扇区都被擦除。

- 将擦除完成的扇区数量减1，继续执行下一个扇区的擦除操作。

5. 返回擦除操作的结果。如果有错误发生，则返回错误代码；否则，返回HAL_OK表示操作成功。

需要注意的是，该函数执行期间会禁止中断，并且解锁Flash，并且在函数执行完毕之后会恢复中断，并且重新锁定Flash。因此，在调用该函数之前，需要确保中断不会影响到Flash的操作，并且需要适当地设置Flash的保护等级以避免意外修改Flash。