Infineon-IR2104S.pdf
时间: 2024-01-04 19:12:54 浏览: 25
重点信息总结如下:
- IR2104(S)是高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。
- IR2104(S)的典型连接示意图和产品概要已提供,其中包括最大偏移电压、最大输出电流、开关时间、死区时间等参数。
- IR2104(S)的封装类型分为8引脚PDIP和8引脚SOIC。
- IR2104(S)的热阻值分别为125(8引脚PDIP)和200(8引脚SOIC)。
- IR2104(S)的最大工作温度为150°C,存储温度范围为-55°C到150°C。
- IR2104(S)具有浮动通道设计,适用于引导操作,工作电压范围为0V到600V,具有负向瞬态电压和dV/dt的耐受能力。
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2. 外设接口丰富:支持多种通信接口,如CAN、LIN、SPI、UART等,同时还拥有高速DMA、PWM、ADC等多种接口,能够较好地配合各种外设和传感器。
3. 处理器保护和安全功能:支持多级寄存器保护,可以有效地防止程序和数据被非法读取和改写;同时还拥有多重安全等级、加密和解密功能,保障了应用程序和数据的安全性。
4. 低功耗特性:采用了低功耗技术,可为用户提供低功耗待机和运行模式,延长电池寿命或降低系统功耗。
综上所述,Infineon-TC264P20.11具有强大的处理能力、丰富的外设接口、高度的安全性能和低功耗特性,非常适合于各种复杂应用场景。