Infineon-IR2104S.pdf

重点信息总结如下：

- IR2104(S)是高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。
- IR2104(S)的典型连接示意图和产品概要已提供，其中包括最大偏移电压、最大输出电流、开关时间、死区时间等参数。
- IR2104(S)的封装类型分为8引脚PDIP和8引脚SOIC。
- IR2104(S)的热阻值分别为125（8引脚PDIP）和200（8引脚SOIC）。
- IR2104(S)的最大工作温度为150°C，存储温度范围为-55°C到150°C。
- IR2104(S)具有浮动通道设计，适用于引导操作，工作电压范围为0V到600V，具有负向瞬态电压和dV/dt的耐受能力。