在STM32CUBEIDE中如何修改程序烧录进入Flash的地址
时间: 2024-03-26 09:42:17 浏览: 26
在STM32CubeIDE中,可以通过以下步骤修改程序烧录进入Flash的地址:
1. 打开STM32CubeIDE并加载你的工程。
2. 右键单击你的工程,选择“Properties”进入属性设置界面。
3. 在属性设置界面中,选择“C/C++ Build” -> “Settings” -> “Tool Settings” -> “Target” -> “Linker” -> “Memory Settings”。
4. 在“Memory Settings”中,找到FLASH区段的定义,一般是类似于下面的代码:
```c
FLASH (rx) : ORIGIN = 0x08000000, LENGTH = 512K
```
其中,ORIGIN表示FLASH区段的起始地址,LENGTH表示FLASH区段的大小。
5. 修改ORIGIN的值为新的FLASH起始地址,例如:
```c
FLASH (rx) : ORIGIN = 0x08040000, LENGTH = 512K
```
6. 保存设置并重新编译程序。
注意,修改FLASH起始地址可能会导致程序无法正常运行或者出现其他问题,建议在修改前备份原始程序。另外,如果你使用的是STM32CubeMX生成的工程,也可以在MX中修改FLASH起始地址,然后重新生成工程代码。
相关问题
STM32CUBEIDE 1.10.0版本的程序烧录FLASH地址修改的设置在哪里
如果您使用的是 STM32CubeIDE 1.10.0 版本,可以按照以下步骤在设置中修改程序烧录进入 FLASH 的地址:
1. 打开 STM32CubeIDE 并加载你的工程。
2. 在工具栏中,单击 "菜单" 按钮。
3. 在菜单中,选择 "Run Configurations"。
4. 在 "Run Configurations" 对话框中,选择您的项目并展开它。
5. 选择 "ST-Link" 选项卡。
6. 在 "Flash Download" 部分中,找到 "Address" 字段。
7. 修改 "Address" 字段的值为新的 FLASH 起始地址。
8. 单击 "应用" 按钮保存设置并关闭对话框。
现在,您可以重新启动调试器并将程序烧录到新的 FLASH 起始地址。请注意,修改 FLASH 起始地址可能会导致程序无法正常运行或者出现其他问题,建议在修改前备份原始程序。
STM32CUBEIDE 1.10.0版本的程序烧录FLASH地址修改的设置在哪里,使用图像说明
在STM32CubeIDE 1.10.0版本中,修改程序烧录FLASH地址的设置可以通过以下步骤完成:
1. 打开STM32CubeIDE软件,选择“File”菜单,点击“New” -> “STM32 Project”。
2. 在“Project Wizard”窗口中,输入项目名称,选择芯片型号和使用的编程语言,然后点击“Next”。
3. 在“Hardware Configuration”窗口中,选择“RCC”选项卡,然后选择“High Speed Clock (HSE)”并输入外部晶振的频率。
4. 在“Project Manager”窗口中,右键单击项目名称并选择“Properties”。
5. 在“C/C++ Build” -> “Settings” -> “Target”选项卡中,选择“Flash”选项卡。
6. 在“Flash”选项卡中,可以修改烧录地址,如下图所示:
![修改烧录地址](https://img-blog.csdnimg.cn/img_convert/4e7f99b3b8b5d6a99ce3c5d0c35a6a52.png)
7. 修改完毕后,点击“Apply”和“OK”按钮保存设置。
以上就是在STM32CubeIDE 1.10.0版本中修改程序烧录FLASH地址的设置的步骤和图示说明。