DDR4的row和column

引用\[1\]和\[2\]提到了单列内存和双列内存之间的区别，但没有提到DDR4的row和column。引用\[3\]提到了内存控制器和通道的概念，但没有具体涉及DDR4的row和column。

DDR4是一种内存标准，它使用了行（row）和列（column）的地址来访问内存中的数据。行和列是内存中存储单元的组织方式。行是内存中的一组存储单元，而列是行中的一个存储单元。通过指定行和列的地址，CPU可以读取或写入特定的内存单元。

DDR4内存的行和列的数量是由内存控制器和内存模块的设计决定的。不同的内存控制器和内存模块可能具有不同的行和列的数量。这些参数通常在内存模块的规格书中可以找到。

总结起来，DDR4内存使用行和列的地址来访问内存中的数据，但具体的行和列的数量取决于内存控制器和内存模块的设计。
#### 引用[.reference_title]
- *1* *3* [DDR的Controller、Channel、Chip、Rank、Bank、Row、Column、Sided](https://blog.csdn.net/muaxi8/article/details/124590174)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
- *2* [DDR的Controller、Channel、Chip、Rank、Bank、Row、Column、Sided、Dimm](https://blog.csdn.net/u013372900/article/details/121155029)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
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