void SectorErase(void) { *(FlashStart + 0x5555) = 0xAAAA; *(FlashStart + 0x2AAA) = 0x5555; *(FlashStart + 0x5555) = 0x8080; *(FlashStart + 0x5555) = 0xAAAA; *(FlashStart + 0x2AAA) = 0x5555; *(FlashStart + SectorSize*4) = 0x3030; DINT; DELAY_US(40000); EINT; }改写成部分擦除的代码
时间: 2024-02-14 21:13:14 浏览: 31
要实现部分擦除,需要首先确定需要擦除的Flash地址范围。然后,按照以下步骤进行操作:
1. 首先,需要将CPU的控制线连接到Flash芯片的控制线,以使CPU能够控制Flash芯片。
2. 然后,向Flash芯片的特定寄存器写入部分擦除命令序列。该命令序列通常包括一些特定的地址和数据位,以告诉Flash芯片需要擦除哪些页或扇区。
3. 等待Flash芯片完成擦除操作。在此过程中,CPU可以执行其他操作。
4. 检查Flash芯片是否已完成擦除操作。如果没有,则重复步骤2和3,直到擦除完成。
下面是一个简单的示例代码,用于部分擦除Flash地址范围为[0x10000, 0x11000)的Flash页:
```
void PageErase(void) {
uint16_t* FlashAddr = (uint16_t*)0x10000; // Flash起始地址
uint16_t PageSize = 512; // Flash页大小为512字节
uint16_t PageNum = 16; // 需要擦除的Flash页数量为16页
DINT;
for (int i = 0; i < PageNum; ++i) {
// 向Flash芯片的特定寄存器写入部分擦除命令序列
*(FlashAddr + 0x5555) = 0xAAAA;
*(FlashAddr + 0x2AAA) = 0x5555;
*(FlashAddr + 0x5555) = 0x8080;
*(FlashAddr + 0x5555) = 0xAAAA;
*(FlashAddr + 0x2AAA) = 0x5555;
*(FlashAddr) = 0x3030;
FlashAddr += PageSize / 2; // 指向下一个Flash页的起始地址
DELAY_US(40000); // 等待Flash芯片完成擦除操作
}
EINT;
}
```
需要注意的是,部分擦除操作同样是一项非常危险的操作,如果不小心操作不当,可能会导致数据丢失或设备损坏。因此,在进行部分擦除操作时,应该非常小心,并确保备份重要数据。