里面的Fe是什么价态的
时间: 2024-05-17 08:18:27 浏览: 8
= 0; i < n; i++) {
printf("%d ", arr[i]);
}
printf("\n\n");
//FeNaEDTA中的Fe是二价铁离子(Fe2+)。在EDTA与Fe2+形成络合 归并排序
comp = 0, move = 0;
merge_sort(arr, temp, 0, n, &comp物时,Fe2+会失去两个电子,从而形成FeNaEDTA络合物。
相关问题
2.以As掺入Ge中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。
As(砷)掺入Ge(锗)中是一种常见的半导体掺杂技术,其中As是一种施主杂质。施主杂质是指掺入半导体中的杂质原子,它们在半导体中的化学性质与半导体原子相似,但它们的原子结构比半导体原子多一个电子。这意味着施主杂质原子可以向半导体中捐赠一个电子,形成一个自由电子,并在半导体带来额外的载流子。在As掺入Ge中的过程中,As原子就是施主杂质。
施主杂质电离过程是施主杂质原子捐赠电子形成自由电子的过程。在As掺入Ge中的过程中,当As原子被加热时,它会从四价态转变为五价态,这个过程称为电离过程。在五价态下,As原子的一个外层电子不再与原子核形成化学键,而是成为一个自由电子,可以在半导体中自由移动和参与导电行为。
n型半导体是指通过施主杂质掺杂形成的半导体材料。在n型半导体中,施主杂质原子捐赠的自由电子成为主要的载流子,并且导电性能比纯净的半导体或p型半导体更好。在As掺入Ge中形成的材料就是n型半导体,其中As原子捐赠的自由电子成为主要的载流子。
氮化镓的p型掺杂和n型掺杂是如何形成的
氮化镓的p型掺杂和n型掺杂是通过掺杂杂质实现的。p型掺杂是通过引入杂质原子(如镓)来取代氮原子,从而形成电子空穴;n型掺杂是通过引入杂质原子(如硅)来取代氮原子,从而增加自由电子数量。掺杂杂质的原子通常是在生长氮化镓晶体的过程中加入的,因为这些杂质原子具有不同的价态,可以导致不同类型的掺杂。