使用HAL库实现对flash的写读操作
时间: 2024-05-03 09:17:50 浏览: 15
使用HAL库实现对flash的写读操作需要遵循以下步骤:
1. 使能FLASH时钟
在使用FLASH之前需要使能其时钟,可以通过以下代码实现:
```
__HAL_RCC_FLASH_CLK_ENABLE();
```
2. 定义FLASH编程结构体
需要定义一个FLASH编程结构体,用于存储FLASH的配置信息,包括FLASH起始地址、扇区大小等信息。可以通过以下代码定义:
```
FLASH_EraseInitTypeDef erase_init;
```
3. 擦除FLASH扇区
在写入新的数据之前需要先将FLASH扇区擦除,可以通过以下代码实现:
```
erase_init.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;
erase_init.Sector = FLASH_SECTOR_5;
erase_init.NbSectors = 1;
erase_init.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;
uint32_t error = 0;
HAL_FLASHEx_Erase(&erase_init, &error);
```
其中,擦除的扇区可以根据实际情况进行修改。在擦除FLASH时需要注意,每个扇区只能擦除一次。
4. 编写FLASH数据
擦除FLASH之后可以将新的数据写入FLASH中,可以通过以下代码实现:
```
uint32_t data = 0x12345678;
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, FLASH_START_ADDRESS, data);
```
其中,第一个参数表示编程类型,可以选择字、半字、字节等;第二个参数表示编程的地址,第三个参数表示要编程的数据。
5. 读取FLASH数据
可以通过以下代码实现读取FLASH中的数据:
```
uint32_t read_data = *(__IO uint32_t*)FLASH_START_ADDRESS;
```
其中,第一个参数为要读取的地址,需要将其强制转换为uint32_t类型。读取FLASH时需要注意,不要读取未擦除的FLASH,否则可能会读取到错误的数据。
以上就是使用HAL库实现对FLASH的写读操作的步骤,需要根据实际情况进行修改和完善。