STM32 HAL库实战：内部FLASH读写教程

"这篇资源是关于在STM32微控制器上使用HAL库进行内部FLASH的读写操作。STM32F103RB是测试环境中使用的芯片，它具有20KBytes的RAM和128KBytes的FLASH存储。文章包含了一个名为`FLASH_H`的头文件，该文件定义了与FLASH操作相关的常量和函数原型。" 在STM32系列微控制器中，HAL库（Hardware Abstraction Layer，硬件抽象层）提供了一种统一且易于使用的接口，以简化开发者对芯片功能的访问，包括对内部FLASH的操作。以下是对STM32使用HAL库读写内部FLASH的详细解释： 首先，定义了几个关键的宏来标识STM32F103RB的FLASH特性： 1. `STM32FLASH_SIZE` (0x00020000UL) 表示FLASH的总大小，这里是128KBytes。 2. `STM32FLASH_BASE` 定义了FLASH的起始地址，通常为0x08000000。 3. `STM32FLASH_END` 使用位或运算计算出FLASH的结束地址。 4. `STM32FLASH_PAGE_SIZE` (通常为0x1000) 定义了每个页的大小，这里是1KBytes。 5. `STM32FLASH_PAGE_NUM` 计算了总的页数，即总的FLASH大小除以每页大小。 `ADDR_FLASH_PAGE_X(X)` 宏用于根据页编号计算出具体的页地址，这在执行页级别的操作时非常有用。 接下来，文件中包含了两个重要的函数声明： 1. `FLASH_Init()` 函数可能是初始化函数，用于设置必要的寄存器配置，以准备进行读写操作。 2. `FLASH_Read(uint32_t Address, uint16_t* Buffer, uint32_t NumToRead)` 用于从指定地址开始读取数据到缓冲区，`Address` 是起始地址，`Buffer` 是接收数据的缓冲区指针，`NumToRead` 是要读取的数据数量。 3. `FLASH_Write(uint32_t Address, uint16_t* Buffer, uint32_t NumToWrite)` 函数可能负责向指定地址写入数据，`Address` 是目标地址，`Buffer` 是包含要写入数据的缓冲区指针，`NumToWrite` 是要写入的数据数量。 在实际应用中，这些函数会调用HAL库提供的API，例如`HAL_FLASH_Program`和`HAL_FLASH_Erase`等，来进行实际的编程和擦除操作。在写入之前，通常需要先检查当前页是否为空或需要先进行擦除操作。同时，由于FLASH的写入和擦除操作通常需要时间，并且可能影响系统运行，因此通常需要使用中断或异常处理机制，确保操作的原子性和安全性。 使用HAL库的优势在于它提供了错误处理、状态检查以及自动的等待状态管理等功能，使得开发者可以更专注于应用程序的逻辑，而不是底层的硬件操作。在开发过程中，开发者还需要遵循STM32的固件库文档，确保正确配置时钟、中断和其他必要的系统设置，以确保HAL库函数能正常工作。