flask中定义全局变量

在 Flask 中定义全局变量通常可以使用 `app.config` 或者 `g` 对象。

通过 `app.config` 可以设置 Flask 应用的配置参数，这些参数可以在应用的不同部分中使用。

例如，你可以在 Flask 配置文件中定义一个全局变量：

app.config['MY_VAR'] = 'my value'

然后在 Flask 应用的其他部分中使用：

@app.route('/')
def index():
    var = app.config['MY_VAR']
    # ...

另外，你还可以使用 `g` 对象来存储全局变量。`g` 是 Flask 提供的一个特殊对象，用于存储和共享请求周期内的数据。

你可以在请求开始时使用 `before_request` 钩子函数将全局变量存储在 `g` 对象中：

@app.before_request
def before_request():
    g.my_var = 'my value'

然后在请求的其他部分中使用：

@app.route('/')
def index():
    var = g.my_var
    # ...

相关问题

STM32F103使用内部Flash保存参数

在STM32F103系列芯片中，内部Flash可用于存储非易失性数据，例如配置参数、校准值等。以下是使用内部Flash保存参数的一般步骤：

1. 定义一个结构体来存储需要保存的参数。

   typedef struct {
       uint32_t parameter1;
       uint32_t parameter2;
       // ...
   } ParameterTypeDef;

2. 定义一个指针变量，指向Flash中存储参数的起始地址。

   #define PARAMETER_ADDRESS 0x0800F800 // 定义Flash地址，最后一页
   ParameterTypeDef *parameter = (ParameterTypeDef *)PARAMETER_ADDRESS;

3. 在初始化时读取Flash中存储的参数。

   void Init(void) {
       // 读取Flash中保存的参数
       if (FLASH_OB_GetUser() == 0xFFFFFFFF) {
           // 第一次运行，参数未存储
           parameter->parameter1 = DEFAULT_PARAMETER1;
           parameter->parameter2 = DEFAULT_PARAMETER2;
           // ...
           SaveParameter();
       }
       else {
           // 参数已存储，从Flash中读取
           memcpy(parameter, (void *)PARAMETER_ADDRESS, sizeof(ParameterTypeDef));
       }
   }

4. 在需要更新参数时，先更新结构体中的值，然后保存到Flash中。

   void UpdateParameter(uint32_t newParameter1, uint32_t newParameter2) {
       parameter->parameter1 = newParameter1;
       parameter->parameter2 = newParameter2;
       // ...
       SaveParameter();
   }

5. 参数保存到Flash的函数。

   void SaveParameter(void) {
       // 禁止全局中断
       __disable_irq();
       // 解锁Flash并擦除最后一页
       FLASH_Unlock();
       FLASH_ErasePage(PARAMETER_ADDRESS);
       // 写入参数到Flash
       uint32_t *p = (uint32_t *)parameter;
       for (uint32_t i = 0; i < sizeof(ParameterTypeDef) / 4; i++) {
           FLASH_ProgramWord(PARAMETER_ADDRESS + i * 4, *(p + i));
       }
       // 锁定Flash
       FLASH_Lock();
       // 使能全局中断
       __enable_irq();
   }

需要注意的是，使用内部Flash存储参数时，需要考虑Flash的擦写次数限制，因此应尽量避免频繁的更新操作。

gd32外部flash模拟eeprom程序c语言实现

下面是一个基于GD32外部Flash模拟EEPROM的简单程序示例：

#include "gd32f10x.h"

// 定义EEPROM的起始地址和容量
#define EEPROM_START_ADDR    ((uint32_t)0x08060000) // 外部Flash起始地址
#define EEPROM_SIZE          ((uint32_t)0x00010000) // 外部Flash容量

// 定义EEPROM中存储的数据结构体
typedef struct {
    uint32_t value1;
    uint32_t value2;
} EEPROM_DataTypeDef;

// 定义EEPROM数据结构体变量
EEPROM_DataTypeDef EEPROM_Data;

// 从EEPROM中读取数据
void EEPROM_ReadData(void)
{
    uint32_t* pData = (uint32_t*)EEPROM_START_ADDR;
    if (*pData == 0xFFFFFFFF) { // 如果第一个字节为0xFF，则说明数据未初始化
        EEPROM_Data.value1 = 0;
        EEPROM_Data.value2 = 0;
    } else {
        EEPROM_Data = *(EEPROM_DataTypeDef*)pData;
    }
}

// 将数据写入EEPROM
void EEPROM_WriteData(void)
{
    FLASH_Unlock(); // 解锁Flash

    // 擦除整个Flash扇区
    FLASH_ErasePage(EEPROM_START_ADDR);

    // 将数据写入EEPROM
    FLASH_ProgramWord(EEPROM_START_ADDR, *(uint32_t*)&EEPROM_Data);

    FLASH_Lock(); // 锁定Flash
}

int main(void)
{
    EEPROM_ReadData(); // 从EEPROM中读取数据

    // 修改数据
    EEPROM_Data.value1 = 123;
    EEPROM_Data.value2 = 456;

    EEPROM_WriteData(); // 将数据写回EEPROM

    while (1);
}

在程序中，我们首先定义了一个结构体`EEPROM_DataTypeDef`，用于表示EEPROM中存储的数据。然后定义了一个全局变量`EEPROM_Data`，用于存储EEPROM中的实际数据。

在`main`函数中，我们首先调用`EEPROM_ReadData`函数从EEPROM中读取数据，如果数据未初始化，则将`EEPROM_Data`中的数据清零。然后修改`EEPROM_Data`中的数据，并调用`EEPROM_WriteData`函数将修改后的数据写回EEPROM中。

在`EEPROM_ReadData`函数中，我们通过将EEPROM的起始地址转换为指针，并读取第一个字节的值来判断数据是否已经初始化。如果第一个字节为0xFF，则说明数据未初始化。否则，我们将整个数据结构体从EEPROM中读取出来。

在`EEPROM_WriteData`函数中，我们首先解锁Flash，然后擦除整个Flash扇区，将数据写入Flash中，并最后锁定Flash。

需要注意的是，由于Flash的写入操作是比较耗时的，因此在实际的应用中，我们需要根据具体的需求来设计合理的EEPROM读写策略，避免频繁地进行Flash的写入操作，以延长Flash的使用寿命。