编写一个带时钟的8×1024的RAM。 输入端口:clk、rd_en、wr_en、addr、data_in 输出端口：data_out 要求：clk上升沿有效，rd_en、wr_en高电平有效并编写它的测试代码

下面是一个基于Verilog语言的带时钟的8×1024 RAM的代码实现：

module ram_8x1024(clk, rd_en, wr_en, addr, data_in, data_out);
  input clk, rd_en, wr_en;
  input [9:0] addr;
  input [7:0] data_in;
  output [7:0] data_out;
  
  reg [7:0] mem [0:1023];
  
  always @(posedge clk) begin
    if (wr_en) begin
      mem[addr] <= data_in;
    end
  end
  
  assign data_out = rd_en ? mem[addr] : 8'bzzzz_zzzz;
  
endmodule

在这个代码中，我们定义了一个名为`ram_8x1024`的模块，并定义了输入端口`clk`、`rd_en`、`wr_en`、`addr`和`data_in`，以及输出端口`data_out`。该模块中有一个`reg`类型的内存数组`mem`，其大小为8×1024，用于存储数据。

在时钟上升沿的时候，如果`wr_en`为高电平，则将`data_in`写入到`mem`数组中指定的地址`addr`中。如果`rd_en`为高电平，则从`mem`数组中读取地址`addr`的值，并将其输出到`data_out`。

最后，我们在`assign`语句中对`data_out`进行赋值，如果`rd_en`为低电平，则将其置为高阻态（8'bzzzz_zzzz）。

下面是一个简单的测试代码，用于测试`ram_8x1024`模块的读写功能：

module ram_8x1024_tb;
  reg clk, rd_en, wr_en;
  reg [9:0] addr;
  reg [7:0] data_in;
  wire [7:0] data_out;
  
  ram_8x1024 dut(clk, rd_en, wr_en, addr, data_in, data_out);
  
  initial begin
    clk = 0;
    rd_en = 0;
    wr_en = 0;
    addr = 0;
    data_in = 0;
    #10;
    wr_en = 1;
    addr = 0;
    data_in = 8'hAA;
    #10;
    wr_en = 1;
    addr = 1;
    data_in = 8'hBB;
    #10;
    rd_en = 1;
    addr = 0;
    #10;
    rd_en = 1;
    addr = 1;
    #10;
    $finish;
  end
  
  always #5 clk = ~clk;
  
endmodule

在这个测试代码中，我们对`ram_8x1024`模块进行了一些简单的读写操作。首先，我们将`wr_en`置为高电平，并将`data_in`写入到地址为0的内存单元中。然后，我们再次将`wr_en`置为高电平，并将`data_in`写入到地址为1的内存单元中。接着，我们将`rd_en`置为高电平，并从地址为0的内存单元中读取数据，并将其输出到`data_out`中。最后，我们再次将`rd_en`置为高电平，并从地址为1的内存单元中读取数据，并将其输出到`data_out`中。

运行这个测试代码，可以验证`ram_8x1024`模块的读写功能是否正确。