BSP317P-VB:超低阻抗P沟道MOSFET技术规格
35 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 458KB PDF 举报
"BSP317P-VB是一款P沟道的SOT223封装MOS场效应晶体管,适用于电源管理中的主动钳位电路等应用。它具有低导通电阻、小型化封装和卤素免费的特点。"
BSP317P-VB是一款由TrenchFET技术制造的P沟道MOSFET,这意味着它采用了沟槽结构,这种设计有助于减小器件的尺寸,同时提高其性能。该器件的主要特点包括超低的导通电阻,这使得在工作时能有效降低功率损耗,从而提高电路效率。此外,BSP317P-VB采用SOT223封装,这是一种常见的表面贴装封装形式,有利于缩小电路板的占用空间,适用于高密度的电子设计。
在电气参数方面,BSP317P-VB的最大漏源电压(VDS)为200V,可承受较高的电压波动。门极-源极电压(VGS)的最大值为正负20℃,确保了良好的开关控制能力。在25℃环境下,连续漏电流(ID)的最大值为-2.0A,而在70℃时则降低至-1.8A。脉冲漏电流(IDM)最高可达-5.8A,这表明该MOSFET能在短时间内处理更大的电流脉冲。
此外,BSP317P-VB还允许一定的连续源电流(IS),在25℃下为-1.0A,70℃时为-0.6A。单脉冲雪崩电流(IAS)的最大值为4.0A,单脉冲雪崩能量(EAS)最大为1.2mJ,这表明在特定条件下,器件能够承受一定程度的过载而不致损坏。最大功率耗散(PD)在25℃时为1.45W,70℃时降低到0.8W,确保了器件在不同温度下的稳定工作。
热特性方面,BSP317P-VB的最大结温范围为-55℃到150℃,这允许其在广泛的环境温度下工作。最大结对壳热阻(RthJF)为40至50°C/W,而最大结对环境热阻(RthJA)在短时间内的典型值为75°C/W,持续状态下则为120°C/W和166°C/W。这些热阻值是评估器件在实际应用中如何散热的重要指标。
BSP317P-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,适合用于电源管理、主动钳位电路以及直流/直流电源供应等应用中,其低导通电阻、小型封装和优良的热特性使其成为高效率和紧凑设计的理想选择。需要注意的是,实际应用时必须遵循规定的电气和热限制,以保证器件的长期稳定运行。
2024-01-05 上传
2023-12-25 上传
点击了解资源详情
点击了解资源详情
点击了解资源详情
点击了解资源详情
2023-03-28 上传
2023-09-19 上传
2023-07-14 上传
![](https://profile-avatar.csdnimg.cn/9c4f80bbd049454a89a68628a5c999c7_vbsemi.jpg!1)
微碧VBsemi
- 粉丝: 6896
- 资源: 2226
最新资源
- Hadoop生态系统与MapReduce详解
- MDS系列三相整流桥模块技术规格与特性
- MFC编程:指针与句柄获取全面解析
- LM06:多模4G高速数据模块,支持GSM至TD-LTE
- 使用Gradle与Nexus构建私有仓库
- JAVA编程规范指南:命名规则与文件样式
- EMC VNX5500 存储系统日常维护指南
- 大数据驱动的互联网用户体验深度管理策略
- 改进型Booth算法:32位浮点阵列乘法器的高速设计与算法比较
- H3CNE网络认证重点知识整理
- Linux环境下MongoDB的详细安装教程
- 压缩文法的等价变换与多余规则删除
- BRMS入门指南:JBOSS安装与基础操作详解
- Win7环境下Android开发环境配置全攻略
- SHT10 C语言程序与LCD1602显示实例及精度校准
- 反垃圾邮件技术:现状与前景