BSP317P-VB：超低阻抗P沟道MOSFET技术规格

"BSP317P-VB是一款P沟道的SOT223封装MOS场效应晶体管，适用于电源管理中的主动钳位电路等应用。它具有低导通电阻、小型化封装和卤素免费的特点。" BSP317P-VB是一款由TrenchFET技术制造的P沟道MOSFET，这意味着它采用了沟槽结构，这种设计有助于减小器件的尺寸，同时提高其性能。该器件的主要特点包括超低的导通电阻，这使得在工作时能有效降低功率损耗，从而提高电路效率。此外，BSP317P-VB采用SOT223封装，这是一种常见的表面贴装封装形式，有利于缩小电路板的占用空间，适用于高密度的电子设计。 在电气参数方面，BSP317P-VB的最大漏源电压(VDS)为200V，可承受较高的电压波动。门极-源极电压(VGS)的最大值为正负20℃，确保了良好的开关控制能力。在25℃环境下，连续漏电流(ID)的最大值为-2.0A，而在70℃时则降低至-1.8A。脉冲漏电流(IDM)最高可达-5.8A，这表明该MOSFET能在短时间内处理更大的电流脉冲。 此外，BSP317P-VB还允许一定的连续源电流(IS)，在25℃下为-1.0A，70℃时为-0.6A。单脉冲雪崩电流(IAS)的最大值为4.0A，单脉冲雪崩能量(EAS)最大为1.2mJ，这表明在特定条件下，器件能够承受一定程度的过载而不致损坏。最大功率耗散(PD)在25℃时为1.45W，70℃时降低到0.8W，确保了器件在不同温度下的稳定工作。 热特性方面，BSP317P-VB的最大结温范围为-55℃到150℃，这允许其在广泛的环境温度下工作。最大结对壳热阻(RthJF)为40至50°C/W，而最大结对环境热阻(RthJA)在短时间内的典型值为75°C/W，持续状态下则为120°C/W和166°C/W。这些热阻值是评估器件在实际应用中如何散热的重要指标。 BSP317P-VB是一款高性能的P沟道MOSFET，适合用于电源管理、主动钳位电路以及直流/直流电源供应等应用中，其低导通电阻、小型封装和优良的热特性使其成为高效率和紧凑设计的理想选择。需要注意的是，实际应用时必须遵循规定的电气和热限制，以保证器件的长期稳定运行。