高热导性die attach工艺与市场趋势

本文档主要探讨了高热传导性die（HighThermalConductiveDie）的贴附技术，特别是在die attach（粘接）过程中使用的sintering工艺。Sintering是一种粉末冶金技术，通过加热和压缩使粉末颗粒间的空隙填充并形成致密结构，提高材料的强度和导热性能。在现代集成电路（IC）和分立器件（Discrete Technologies）的发展趋势中，对于小型化、高效能、多芯片集成以及减少组装面积的需求日益增长，这就对die attach材料提出了新的要求。 市场趋势显示，随着技术的进步，对于高温工作环境下的封装（如MSL达到3260°C、2260°C和1260°C的回流焊接）有了更高的可靠性需求。例如，为了适应薄型化和薄层技术（wafer thickness在100-200um和75-150um之间），贴附材料应具备低析出物、无气泡、高热传递速率（High UPH）以及无气体排放的特点，以确保成本效益和良好的散热性能。理想的die attach材料需具有高热导率，如硅（Si）、碳化硅（SiC）等，其热导率分别要求达到5-10W/mK和>35W/mK。 创新的工艺如Metal Interstitial Pore（MIP）、Wet Bonding Contact（WBC）、以及旋转和喷涂技术被提出，以实现最小化的焊膏填充（diet die pad or die becomes close），进一步优化贴附效果。同时，针对不同的应用环境，如散热要求较高的领域，如氮化镓（GaN）器件，热阻限制也在不断提升，从150°C到260°C不等。 文档还提到了MO（Metallization Overlap）技术，这是一种在薄而高导电层（Thin and High Conductive Layer）上进行金属覆盖的技术，旨在增强die attach的导电性和耐用性，尤其是在低温sintering条件下。这些新技术和材料的选择对于提升整体芯片封装性能和可靠性至关重要，反映了当前和未来IC产业对高性能、高可靠性和成本效益的追求。