SI2304BDS-T1-GE3-VB: 30V N沟道SOT23封装高性能MOSFET

本文档介绍了一款由SI公司生产的N沟道SOT23封装MOSFET型号为SI2304BDS-T1-GE3-VB。这款器件是一款高性能的Trench FET® Power MOSFET，具有以下主要特性： 1. **环保设计**：该MOSFET符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，体现了对环境友好的设计原则。 2. **技术规格**： - **电压等级**：最大集电极-源极电压（VDS）为30V，确保在电路设计时的安全范围。 - **漏极电流**：在VGS = 10V时，持续漏极电流（ID）为0.030A，而在VGS = 4.5V下为0.033A。 - **热性能**：在不同的温度条件下，例如在25°C时，连续漏极电流在室温下为6.5A，在70°C下为6.0A。 - **短路耐受能力**：最大脉冲漏极电流（IDM）为25A，保证了设备在突发负载下的可靠工作。 - **耗散功率**：在25°C下，最大功率损耗（PD）为1.7W，而在70°C下有所下降，说明了器件的散热性能。 3. **应用领域**：该MOSFET适用于DC/DC转换器等需要高效率、小型化和低功耗的电子应用中。 4. **封装形式**：采用紧凑的SOT-23封装，适合表面安装，便于集成到小型电路板上，如1"x1" FR4板。 5. **温度范围**：工作结温范围为-55°C至150°C，存储温度更低，而推荐的焊接温度高达260°C。 6. **安全限制**：各项参数的极限值是在标准条件下给出的，如在25°C时的热时间常数为5秒（t=5s），且最大稳态条件下的结温不超过130°C/W。 7. **散热建议**：在设计时需注意热管理，确保器件在操作过程中不会超过规定的最大功率损耗，以延长其使用寿命。 SI2304BDS-T1-GE3-VB是一款适合对低功耗、紧凑封装有高要求的电子系统中的N沟道MOSFET，具有良好的热性能和环保特性，广泛应用于电源管理和转换器等应用领域。在实际使用中，需根据产品手册提供的数据进行精确设计，确保电路安全和性能优化。