SI2312BDS-T1-GE3-VB MOSFET: N沟道20V,6A低电阻SOT23封装应用

"SI2312BDS-T1-GE3-VB是一款N沟道的SOT23封装MOSFET，适用于20V工作电压，具备6A连续漏极电流能力，低导通电阻（RDS(ON)）在4.5V栅极电压下为24mΩ，在2.5V和1.8V栅极电压下分别为33mΩ和50mΩ。这款MOSFET符合RoHS标准，无卤素，并进行了100%栅极电荷测试，适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。" SI2312BDS-T1-GE3-VB是一款N沟道TrenchFET®功率MOSFET，采用小型SOT23封装，旨在提供高效能和紧凑的解决方案。其主要特性包括： 1. **20V的耐压能力**：允许该器件在最高20V的电压环境下安全工作，确保了电路的稳定性和耐用性。 2. **低导通电阻**：在不同栅极电压下，RDS(ON)值非常低，这意味着在导通状态下，该MOSFET将造成较小的电压降，从而降低功率损失，提高效率。例如，当VGS为4.5V时，RDS(ON)为24mΩ，而在2.5V和1.8V时，分别降至33mΩ和50mΩ。 3. **小尺寸封装**：SOT23封装使得该MOSFET适合空间有限的应用，如便携式设备和小型电源转换系统。 4. **符合RoHS标准**：无卤素设计符合环保要求，满足现代电子产品的绿色制造标准。 5. **100%栅极电荷测试**：确保每个器件的可靠性和一致性，提高了产品的整体质量。 6. **应用广泛**：这款MOSFET常用于DC/DC转换器，如升压或降压电路，以及便携式应用的负载开关，如手机、平板电脑等设备的电源管理。 7. **最大额定值**：包括20V的源漏极电压（VDS），12V的栅源电压（VGS），以及2.1W的最大功率耗散。此外，持续漏极电流ID在不同温度下有不同的限制，例如在25°C时为6A，在70°C时为5.1A。 8. **工作温度范围**：器件的结温（TJ）和储存温度（Tstg）范围为-55°C到150°C，保证了在各种环境条件下的稳定工作。 SI2312BDS-T1-GE3-VB是一款高性能、环保且尺寸紧凑的N沟道MOSFET，特别适合需要高效能和低功耗的电源管理方案。它的特性使其成为便携式电子设备和电源转换应用的理想选择。