FU024N-VB：60V N沟道TrenchFET功率MOSFET

"FU024N-VB是一种N沟道的MOSFET，采用TO251封装，适用于电源供应和DC/DC转换器等领域。这款MOSFET具有低RDS(on)、高耐压特性，并符合RoHS指令。" FU024N-VB MOSFET是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其主要特点包括： 1. **TrenchFET技术**：这种MOSFET采用了TrenchFET结构，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上刻蚀出深沟槽来提高器件的密度和开关性能，从而实现更低的导通电阻（RDS(on)）和更好的热效率。 2. **60V耐压能力**：该器件的额定漏源电压（VDS）为60V，这意味着它可以在不超过60V的电压下安全工作，为电源管理和电路保护提供了足够的裕量。 3. **低RDS(on)**：RDS(on)仅为21.7Ω，这在连续工作电流（ID）为0.0A时测得，这意味着在导通状态下，FU024N-VB有非常低的内阻，可以有效地降低功耗和发热。 4. **100%Rg和UIS测试**：每个器件都经过了栅极电阻（Rg）和雪崩能量承受能力（UIS）的全面测试，确保了产品的可靠性和稳定性。 5. **RoHS合规**：该产品符合欧盟的RoHS指令2002/95/EC，不含有卤素，符合环保要求。 6. **应用领域**：FU024N-VB适用于电源供应的次级同步整流以及DC/DC转换器，这些应用通常需要高效的功率转换和良好的热管理。 7. **最大额定值**：器件的最大脉冲漏极电流（DM）为100A，单个雪崩能量（EAS）为80mJ，最大功率损耗（PD）在25°C时为59.5W，但实际功率损耗会随着环境温度的升高而受限。 8. **热性能**：结到壳体的热阻（RthJC）为2.1°C/W，结到环境的热阻（RthJA）为46°C/W，这些数值表明了器件在不同散热条件下的热性能。为了获得最佳散热效果，推荐将器件安装在1英寸见方的FR-4材料PCB上。 9. **工作和存储温度范围**：FU024N-VB的工作结温范围是-55°C到150°C，存储温度同样为这个范围。 FU024N-VB是一款适合于高效率电源系统和转换器应用的高性能N沟道MOSFET，其低RDS(on)和TrenchFET技术确保了优秀的开关性能，而其符合RoHS标准则满足了现代电子设备的环保要求。