HAT2028RJ-VB: 60V双N沟道SOP8封装MOS管特性与规格

HAT2028RJ-VB是一种高性能的双N沟道60V耐压的SOP8封装MOS场效应晶体管，由TrenchFET®技术制造。它采用先进的沟槽工艺，旨在提供高效能和低损耗的开关特性。这款器件具有以下关键特点： 1. **封装形式**：SOP8封装，紧凑型设计适合于空间受限的应用。 2. **电气规格**： - 静态漏电流（RDS(on)）在VGS = 10V时为0.028Ω，显示出高效率。 - 在VGS = 4.5V下，RDS(on)为0.030Ω，表明在不同工作电压下的低阻值。 - 每个通道的持续导通电流（ID）高达7A，能满足大电流驱动需求。 - 单脉冲雪崩电流（单次脉冲峰值电流）在L=0.1mH时为18A，表示在过载条件下的安全裕度。 - 单脉冲雪崩能量（EAS）为16.2mJ，反映了器件对过电压冲击的承受能力。 3. **温度范围**：该MOSFET的工作和储存温度范围为-55°C至+175°C，包括最大结温（TJ）和热储存温度（Tstg），确保在宽温环境下稳定运行。 4. **散热性能**：提供了良好的热阻抗，Junction-to-Ambient热阻（RthJA）为110°C/W，当安装在PCB上时有助于有效散热。 5. **测试标准**：所有器件经过100%的Rg和UIS测试，保证了可靠性和性能的一致性。但需要注意的是，脉冲测试有特定限制，如脉冲宽度≤300μs和占空比≤2%。 6. **限制条件**：这款MOSFET存在包装限制，并且在指定条件下（如PCB材料和尺寸）进行操作，例如1英寸见方的FR4材料。 HAT2028RJ-VB是一款适用于高电压、大电流应用的理想选择，特别是在需要紧凑封装和高效能的工业级电子系统中。它的优良特性使得其在电源管理、电机控制、开关电源等场合有着广泛的应用前景。在实际使用中，需确保遵循制造商提供的指导和参数限制，以充分发挥其性能潜力并避免损坏。