FSS245-TL-E-VB: 40V N-Channel MOSFET with High Performance and R...
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更新于2024-08-03
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FSS245-TL-E-VB是一款采用SOP8封装的N-Channel场效应MOS管,它属于Trench FET系列,特别设计用于高性能、低功耗的电力电子应用。这款器件具有以下主要特性:
1. **环保合规**:按照IEC 61249-2-21标准,该MOSFET是无卤素的,符合RoHS指令2002/95/EC的要求,对环境友好。
2. **高可靠测试**:100%的Rg(栅极电阻)和UIST(单元体漏电流)测试,确保了产品的高质量和稳定性。
3. **功率参数**:
- 阴极-阳极电压(VDS)最大值为40V,确保在安全工作区域内。
- 阳极-源极电压(VGS)支持±20V的宽范围,可进行高效的电压控制。
- 连续导通电流(ID)在不同温度下有所不同,例如在25°C时,最大持续电流可达50A,而在70°C时有所降低。
- 有脉冲峰值电流(IDM)限制,以及15A的雪崩电流(AAS)和11mJ的雪崩能量,确保在过载情况下仍能保持安全。
- 源-漏极反向电流(IS)在连续模式下为5A,有助于防止热失控。
4. **散热性能**:最大功率损耗(P)在不同条件下的限制,如在25°C时,静态最大功率为6W,而动态条件下,例如在0.1mH电感下,70°C时的最大功率为2.5W或1.6W,显示了良好的热管理能力。
5. **温度范围**:操作和存储温度范围广泛,从-40°C到150°C,适应各种应用场景的需求。
6. **封装与应用**:SOP8封装,适合表面安装,如1"x1" FR4板,提供高效紧凑的解决方案。适用于同步整流、电源转换(POL, IBC)等次级侧应用。
7. **尺寸和符号**:顶部视图提供了器件的实际布局,包括栅极(G)、源极(S)和 Drain(D)引脚。
FSS245-TL-E-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET,适合对功率密度、效率和可靠性有较高要求的电子设备,如开关电源、电机驱动和高频电源转换器等。在选择和使用时,务必注意其工作电压、电流限制以及温度条件下的操作参数。
2024-04-26 上传
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