FSS210-TL-E-VB: 40V N-Channel MOSFET with 10A Rating and Low RDS...
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更新于2024-08-03
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FSS210-TL-E-VB是一款采用SOP8封装的高性能N-Channel场效应MOS管,由VBSEMI公司生产。这款器件具有以下关键特性:
1. **环保设计**:符合IEC61249-2-21标准,不含卤素,对环境友好。
2. **Trench FET技术**:采用先进的沟槽型场效应技术,提供出色的性能和效率。
3. **严格测试**:100%进行Rg(栅极电阻)和UIST(单元绝缘强度测试),确保器件质量。
4. **符合RoHS规范**:遵循欧盟RoHS指令2002/95/EC,关注电子废物管理。
5. **应用范围广泛**:适用于同步整流、电源管理(POL)、交流耦合器(IBC)等在次级侧的应用场景。
产品特性方面:
- **最大集电极-源极电压** (VDS):高达40V,确保了器件在高电压下的稳定工作。
- **栅极-源极电压范围** (VGS):±20V,允许宽广的控制电压操作。
- **连续漏极电流** (ID): 在25°C条件下,额定值为50A,而在70°C时略有下降。
- **脉冲漏极电流** (IDM) 和雪崩电流 (Avalanche Current) 分别为15A和11mJ,适应不同的瞬态需求。
- **源极-漏极二极管电流** (S):连续状态下最大可达5.21A,支持低阻断能力。
- **最大功率耗散** (P):在不同温度条件下,最大为6W,考虑到了散热设计。
注意事项:
- 该器件表面安装于1"x1" FR4板上,且在10秒时间尺度下测量。
- 在典型情况下,热耗散限制为每瓦85°C,在室温下工作。
- 所有参数是在特定条件(如TJ=150°C)下的极限值。
FSS210-TL-E-VB是一款适合高电压、大电流应用场景的理想选择,其可靠性、效率和环保特性使其成为工业级设计的理想组件。在实际使用时,务必确保遵循制造商提供的规格和操作指南,以确保设备的安全和性能。
2024-04-26 上传
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