FSS210-TL-E-VB: 40V N-Channel MOSFET with 10A Rating and Low RDS...

FSS210-TL-E-VB是一款采用SOP8封装的高性能N-Channel场效应MOS管，由VBSEMI公司生产。这款器件具有以下关键特性： 1. **环保设计**：符合IEC61249-2-21标准，不含卤素，对环境友好。 2. **Trench FET技术**：采用先进的沟槽型场效应技术，提供出色的性能和效率。 3. **严格测试**：100%进行Rg（栅极电阻）和UIST（单元绝缘强度测试），确保器件质量。 4. **符合RoHS规范**：遵循欧盟RoHS指令2002/95/EC，关注电子废物管理。 5. **应用范围广泛**：适用于同步整流、电源管理（POL）、交流耦合器（IBC）等在次级侧的应用场景。 产品特性方面： - **最大集电极-源极电压** (VDS)：高达40V，确保了器件在高电压下的稳定工作。 - **栅极-源极电压范围** (VGS)：±20V，允许宽广的控制电压操作。 - **连续漏极电流** (ID): 在25°C条件下，额定值为50A，而在70°C时略有下降。 - **脉冲漏极电流** (IDM) 和雪崩电流 (Avalanche Current) 分别为15A和11mJ，适应不同的瞬态需求。 - **源极-漏极二极管电流** (S)：连续状态下最大可达5.21A，支持低阻断能力。 - **最大功率耗散** (P)：在不同温度条件下，最大为6W，考虑到了散热设计。 注意事项： - 该器件表面安装于1"x1" FR4板上，且在10秒时间尺度下测量。 - 在典型情况下，热耗散限制为每瓦85°C，在室温下工作。 - 所有参数是在特定条件（如TJ=150°C）下的极限值。 FSS210-TL-E-VB是一款适合高电压、大电流应用场景的理想选择，其可靠性、效率和环保特性使其成为工业级设计的理想组件。在实际使用时，务必确保遵循制造商提供的规格和操作指南，以确保设备的安全和性能。