FSS273-TL-E-VB: 40V N-Channel MOSFET with High Current and Low R...

FSS273-TL-E-VB是一款由VBSEMICONDUCTOR公司生产的高性能SOP8封装N-Channel场效应MOS管。这款MOSFET具有特定的技术特性，使其在多个应用领域表现出色。 首先，该器件采用先进的Trench FET®技术，这是一种沟槽型功率MOSFET设计，旨在提供更高的开关速度和更低的导通电阻（RDS(ON)），这对于效率优化的电路非常重要。在给出的数据表中，RDS(ON)在VGS=10V时为14mΩ，而在VGS=20V时则有所下降，这表明随着栅极电压的增加，漏极电流会相应降低，从而节省电能。 FSS273-TL-E-VB在环境兼容性方面表现良好，符合RoHS指令2002/95/EC，这意味着它不含有卤素和其他有害物质，有利于环保。此外，它还通过了100% Rg和UISTested测试，确保了在正常使用条件下的可靠性。 在应用方面，这款MOSFET适用于多种场合，如同步整流、电源管理（POL）、电池充电控制器（IBC）以及次级侧电路。它特别适合需要高效率和小型化的系统，例如在便携式电子设备或可再生能源系统中。 产品特性部分详细列出了最大工作参数，如持续的漏源电压高达40V，允许的最大栅极源电压范围为±20V。在典型条件下，连续漏极电流在25°C时可达9A，在高温下如70°C也有相应的限制。此外，它还具有良好的热性能，最大功耗密度在不同温度下限制在3.8W至2.5W之间，这有助于防止过热。 源极-漏极二极管电流（IS）为5A，对于可能存在的反向电流保护也做了规定。脉冲电流（IDM）和雪崩电流（Avalanche Current）分别为15A和11mJ，确保在极端条件下仍能保持安全。 FSS273-TL-E-VB是一款高效、可靠的N-Channel MOSFET，它的设计和性能参数使其成为工业和消费电子应用的理想选择，尤其是在需要低损耗和小型化解决方案的场合。在选择和使用时，需注意其温度限制和操作条件，以确保最佳性能和使用寿命。