FSS138-TL-E-VB:SOP8封装P-Channel MOSFET,低RDS(on)及高效能应用
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更新于2024-08-03
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"FSS138-TL-E-VB是一款由VB Semiconductor制造的P-Channel场效应MOSFET,采用SOP8封装,适用于笔记本电脑、台式电脑等设备的负载开关应用。该器件具有低RDS(ON)、100%Rg和UIS测试的特点,并且符合无卤素IEC61249-2-21标准。"
FSS138-TL-E-VB是一款30V的P-Channel沟道MOSFET,其主要特点包括使用了TrenchFET®技术,这种技术有助于减小器件尺寸并提高效率。器件的额定漏源电压(VDS)为-30V,这意味着它可以承受的最大电压差为30伏。在VGS(栅极-源极电压)为10V时,其RDS(ON)仅为10mΩ,这表示在正常工作条件下,流过MOSFET的电阻非常低,从而可以有效地降低导通损耗。
该MOSFET的连续漏极电流(ID)在25°C时可达到-11.6A,但在温度升至70°C时,这个值会下降到-10.5A或更低。此外,器件还经过了100%的Rg和UIS测试,确保了其可靠性和安全性。Rg测试用于验证栅极电阻的稳定性,而UIS测试则是为了确保MOSFET在过电压条件下的耐受能力。
FSS138-TL-E-VB的脉冲漏极电流(DM)峰值可达-40A,这是在短时间内可承受的最大电流。同时,它还包含一个内置的源漏二极管,允许在特定条件下进行反向电流流动。连续源漏二极管电流(IS)在25°C时为-4.6A,这在保护电路或作为简单开关应用时非常有用。
该器件的雪崩能量(AS)和单脉冲雪崩能量限制了其在过载情况下的耐受能力,以防止内部损坏。最大功率耗散(PD)在25°C时为5.6W,而在70°C时则降至3.6W,这些数值基于特定的热阻条件。结温范围(TJ, Tstg)从-55°C到150°C,保证了器件在宽温度范围内工作的稳定性和可靠性。
热特性方面,FSS138-TL-E-VB的热阻(θJA)对于评估其在不同环境温度下的散热性能至关重要。制造商提供了基于不同条件下的热阻数据,帮助设计者计算和优化散热方案,以确保器件在实际应用中的长期稳定运行。
FSS138-TL-E-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET,适合于需要低电阻、高效率和良好热管理的电子设备中,如电源管理、负载开关和计算机系统。其紧凑的SOP8封装使其易于集成到各种电路板设计中,而其出色的电气特性和测试保证了其在实际应用中的可靠表现。
2024-04-26 上传
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