GND:接地
P0 口:P0 口是一组 8 位漏极开路型双向 I/O 口,也即地址/数据总线复用口。
作为输出口用时,每位能驱动 8 个 TTL 逻辑门电路,对端口写“1”可作为高阻
抗输入端用。
在访问外部数据存储器或程序存储器时,这组口线分时转换地址(低 8 位)
和数据总线服用,在访问期间激活内部上拉电阻。
在 Flash 编程时,P0 口接收指令字节,而在程序校验时,输出指令字节,
校验时要求外接上拉电阻。
P1 口:P1 口是一个带内部上拉电阻的 8 位双向 I/O,P1 的输出缓冲级可驱
动(吸收或输出电流)4 个 TTL 逻辑门电路。对端口写“1”,通过内部的上拉电
阻把端口拉到高电平,此时可作输入口。
Flash 编程和程序校验期间,P1 接收低 8 位地址。
P2 口:P2 口是一个带内部上拉电阻的 8 位双向 I/O,P2 的输出缓冲级可驱
动(吸收或输出电流)4 个 TTL 逻辑门电路。对端口写“1”,通过内部的上拉电
阻把端口拉到高电平,此时可作输入口。
在访问外部程序存储器或 16 位地址的外部数据存储器(例如执行
MOVX@DPTR 指令)时,P2 口送出高 8 位地址数据。在访问 8 位地址的外部数据存
储器(MOVX @Ri 指令)时,P2 口线上的内容(也即特殊功能寄存器(SFR)区中
P2 寄存器的内容),在整个访问期间不改变。
Flash 编程和程序校验期间,P2 亦接收低高位地址和其他控制信号。
P3 口:P3 口是一组带内部上拉电阻的 8 位双向 I/O,P3 的输出缓冲级可驱
动(吸收或输出电流)4 个 TTL 逻辑门电路。对 P3 口写入“1”时,它们被内部
的上拉电阻拉高并可作为输入端口。作输入端时,被外部拉低的 P3 口将用上拉
电阻输出电流。P3 口除了作为一般的 I/O 口线外,更重要的用途是它的第二功
能,见表 2-1 所示:
表 2-1 P3 口的第二功能图
P3 口还接收一些用于 Flash 闪速存储器编程和程序校验的控制信号。
ALE/PROG:当访问外部程序存储器或数据存储器时,ALE(地址锁存器允许)
输出脉冲用于锁存地址的低 8 位字节。即使不访问外部存储器,ALE 仍以时钟振
荡频率的 1/6 输出固定的正脉冲信号,因此它可对外输出时钟或用于定时目的。
要注意的是:每当访问外部数据存储器时将跳过一个 ALE 脉冲。对 Flash 存储器
编程期间,该引脚还用于输入编程脉冲(PROG)。如有必要,可通过多特殊功能