650V氮化镓高速功率IC NV6115：集成驱动与高效解决方案
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更新于2024-07-16
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NV6115是一款由Navitas公司开发的650V GaNFast™ 功率集成电路，专为高频、软开关拓扑设计优化。这款器件以其独特的集成特性而脱颖而出，它集成了功率晶体管（FET）、驱动器和逻辑功能于单个芯片上，形成了一个易于使用的“数字输入，功率输出”高性能模块，极大地简化了系统设计。
其主要特点包括：
1. **集成驱动器**：NV6115采用monolithic（一体式）集成驱动器，这意味着所有必要的控制和驱动电路都在同一芯片上，减少了外部组件的需求，提高了系统的紧凑性和可靠性。
2. **宽广的逻辑输入范围**：带有内置滞环，支持5V和15V输入兼容性，这使得该器件能适应多种电源电压环境，增强了设计灵活性。
3. **电压兼容性**：工作电压范围广泛，从10V到30V，适应不同应用对电压的要求。
4. **可编程导通电压上升速率**：允许设计师根据需要调整dV/dt，这有助于在确保效率的同时控制开关速度。
5. **高耐压性**：高达200V/ns的dV/dt免疫力，能在高速开关操作中保持稳定性能。
6. **低阻抗FET**：170mΩ的低阻值确保了出色的功率密度，减少了损耗。
7. **零反向恢复电荷**：这一特性降低了开关损耗，提高了效率。
8. **高速度**：可以达到2MHz的运行频率，适合追求高速度的应用。
9. **小型化封装**：采用5x6毫米的SMT QFN封装，具有0.85毫米的低高度，减小了体积，有利于小型化设计，并降低电磁干扰。
10. **低引脚电感**：低引脚电感设计减少了寄生效应，有助于提升整体系统响应速度和效率。
通过这些特性，NV6115为电子工程师提供了实现高效、小型和世界最快集成电源解决方案的理想平台，能够显著提升功率密度和能源利用率。Navitas的GaNFast™系列功率IC因其卓越性能和易用性，帮助设计师们在高性能电源设计中实现了突破性的进步。
Final Datasheet 5 Rev Nov 22, 2019
NV6115
6.5. Electrical Characteristics
Typical conditions: V
DS
= 400 V, V
CC
= 15 V, V
DZ
= 6.2 V, F
SW
= 1 MHz, T
AMB
= 25 ºC, I
D
= 4 A, R
DD
= 10 Ω (or specified)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNITS
CONDITIONS
V
CC
Supply Characteristics
I
QCC
V
CC
Quiescent Current
0.85
1.5
mA
V
PWM
= 0 V
I
QCC-SW
V
CC
Operating Current
2.3
mA
F
SW
= 1 MHz, V
DS
= Open
Low-Side Logic Input Characteristics
V
PWMH
Input Logic High Threshold (rising edge)
4
V
V
PWML
Input Logic Low Threshold (falling edge)
1
V
V
I-HYS
Input Logic Hysteresis
0.5
V
T
ON
Turn-on Propagation Delay
11
ns
Fig.1, Fig.2
T
OFF
Turn-off Propagation Delay
9
ns
Fig.1, Fig.2
T
R
Drain rise time
6
ns
Fig.1, Fig.2
T
F
Drain fall time
3
ns
Fig.1, Fig.2
Switching Characteristics
F
SW
Switching Frequency
2
MHz
t
PW
Pulse width
0.02
1000
µs
GaN FET Characteristics
I
DSS
Drain-Source Leakage Current
0.2
25
µA
V
DS
= 650 V, V
PWM
= 0 V
I
DSS
Drain-Source Leakage Current
7
50
µA
V
DS
= 650 V, V
PWM
= 0 V, T
C
= 125 ºC
R
DS(ON)
Drain-Source Resistance
170
240
mΩ
V
PWM
= 6 V, I
D
= 4 A
R
DS(ON)
Drain-Source Resistance
352
mΩ
V
PWM
= 6 V, I
D
= 4 A, T
C
= 125 ºC
V
SD
Source-Drain Reverse Voltage
3.2
5
V
V
PWM
= 0 V, I
SD
= 4 A
Q
OSS
Output Charge
16
nC
V
DS
= 400 V, V
PWM
= 0 V
Q
RR
Reverse Recovery Charge
0
nC
C
OSS
Output Capacitance
18
pF
V
DS
= 400 V, V
PWM
= 0 V
C
O(er)
(7)
Effective Output Capacitance, Energy
Related
24
pF
V
DS
= 400 V, V
PWM
= 0 V
C
O(tr)
(8)
Effective Output Capacitance, Time
Related
40
pF
V
DS
= 400 V, V
PWM
= 0 V
(7) C
O(er)
is a fixed capacitance that gives the same stored energy as C
OSS
while V
DS
is rising from 0 to 400 V
(8) C
O(tr)
is a fixed capacitance that gives the same charging time as C
OSS
while V
DS
is rising from 0 to 400 V
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