碳化硅半导体行业前瞻：市场规模与国产化进程加速

“半导体材料系列：第三代半导体碳化硅行业前瞻（2022）（88页）.pdf” 本文主要探讨了第三代半导体材料——碳化硅（SiC）在行业中的前景，尤其是在2022年至2026年间的市场规模和增长趋势。碳化硅作为高性能的半导体材料，其优越的特性使其在高温、高压、高频和大功率应用中展现出巨大潜力。报告指出，碳化硅衬底的市场规模将在未来五年内从7亿美元增长到17亿美元，复合年增长率为25%，而SiC器件市场规模则会从43亿美元增加到89亿美元，复合年增长率为20%。 需求方面，SiC器件的需求正在经历从初期阶段向爆发期的转变。新能源汽车、充电基础设施、5G基站和工业与能源领域的应用推动了这一需求的增长。特别是新能源汽车市场，预计到2026年，其对SiC器件的市场规模将从16亿美元跃升至46亿美元，复合年增长率高达30%。 在供给端，碳化硅产业链主要包括晶圆衬底制造、外延片生产、器件研发和封装测试四个环节。其中，晶圆衬底制造占据了最大成本比例，但由于技术难度高，尤其是晶体生长和切割工艺复杂，导致高质量衬底的成本居高不下。目前，市场主要由WolfSpeed、II-VI和ROHM等几家大型供应商主导，它们的市场占有率超过80%。国内厂商尽管在进步，但与国际领先水平仍存在差距。短期内，衬底产能的瓶颈将继续影响整个产业链，特别是中高功率器件。预计2022年和2024年全球市场销量将分别达到约170万片和250万片6英寸等效晶圆。 报告还指出，中国在碳化硅领域的国产化进程正在加速，如天岳先进和天科合达等国内企业正在积极发展，为中长期的投资提供了机遇。随着技术的不断成熟和产能的扩大，预计碳化硅的价格将逐步下降，这将进一步推动其在各领域的广泛应用。 总结来说，碳化硅作为第三代半导体材料，其在新能源汽车、5G通信和工业电源等领域的应用前景广阔，市场需求将持续增长。然而，供应链的瓶颈，尤其是高质量衬底的产能限制，是目前行业面临的主要挑战。国内企业在努力追赶，有望在中长期打破这种局面，为市场带来更多可能性。