CEM4487-VB: 2P-Channel -60V MOSFET详解：特性、应用与规格

CEM4487-VB是一款由VBSEM制造的双极性P-Channel沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术，特别适合于低电压（-60V）和大电流（-5.3A）的应用场合。该器件的特点包括： 1. **环保设计**：采用无卤素材料，符合环保标准。 2. **高性能结构**：TrenchFET设计提供了优异的开关性能和效率，使得在高工作温度下也能保持稳定的电流能力。 3. **质量保证**：经过100% UISTest（可能指的是严格的单元测试），确保了产品的可靠性。 这款MOSFET的主要参数如下： - **电压特性**： - Drain-Source Voltage (VDS): 最大可达-60V，这意味着它可以处理负向电压。 - Gate-Source Voltage (VGS): 双向工作范围为±20V，支持宽广的控制信号调节。 - **电流规格**： - Continuous Drain Current (ID): 在25°C条件下，连续导通电流为-5.3A，而在70°C时有所降低。 - Pulsed Drain Current (DM) 和 Avalanche Current (I) 提供了关于脉冲和过载条件下的电流限制。 - **保护特性**： - Single-Pulse Avalanche Energy (AS): 单脉冲雪崩能量限制为20mJ，确保安全操作。 - Maximum Power Dissipation (PD): 定义了在不同温度下的最大功率损耗，如25°C时为4.0W，而在70°C下有所降低。 - **温度兼容性**： - Operating Junction Temperature (TJ): 设计用于-55°C至150°C的工作环境。 - Thermal Resistance: 提供了关于热阻的典型值，对于Junction-to-Ambient thermal resistance有特定限制。 CEM4487-VB可以应用于多种领域，特别是作为负载开关，因为它具有低的导通电阻（RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V, VGS=20V），这有助于减小开关损耗，适合于电源管理和高效率电路设计。然而，实际应用时应遵循制造商提供的极限条件，如在指定的温度下运行，并注意表面安装时的散热考虑，如在1"x1" FR4板上使用时，可能需要考虑适当的热路径和散热措施。 在集成到电路时，用户应根据产品数据表中的符号和限制来确定正确的驱动信号、电源电压和散热设计，以确保器件的长期稳定性和性能。同时，对于短路保护、过压保护等安全措施也需额外设计。CEM4487-VB是一款适合在各种低电压、高电流负载切换应用中使用的高效MOSFET解决方案。