20N3LG-TO251-VB MOSFET:特性、应用与规格分析
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更新于2024-08-03
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"20N3LG-TO251-VB是一款N沟道30V MOSFET,采用TO251封装,适用于DC/DC转换等应用。它具有无卤素、TrenchFET® Gen III技术、通过100% Rg和UIS测试的特性。关键参数包括7mΩ(10V栅极电压)和9mΩ(4.5V栅极电压)的低导通电阻,以及19nC和45nC的总栅极电荷。其最大连续漏电流分别为50A(25°C)和45A(70°C),脉冲漏电流可达150A,雪崩能量为40mJ。此外,它还具备28W(25°C)和18W(70°C)的最大功率耗散能力,以及29°C/W的最大结壳热阻。"
20N3LG-TO251-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),特别适合用于DC/DC转换器系统电源的应用中。这款器件采用了先进的TrenchFET® Gen III技术,这种技术通过在硅片上形成深沟槽结构,极大地降低了导通电阻,从而在开关操作中提高了效率并减少了损耗。TrenchFET设计还有助于减小芯片尺寸,提高热性能。
该MOSFET的额定漏源电压(VDS)为30V,意味着在正常工作条件下,源极和漏极之间可承受的最大电压是30V。同时,其栅极源电压(VGS)的最大值为正负20V,确保了宽泛的工作范围。值得注意的是,20N3LG-TO251-VB在10V栅极电压下具有7mΩ的低导通电阻,而在4.5V栅极电压下则为9mΩ,这在高电流应用中非常重要,因为较低的RDS(on)意味着更低的电压降和更高的能效。
在电气特性方面,20N3LG-TO251-VB在25°C时能持续承载50A的漏电流,而在70°C时则降低到45A。它还经过了严格的100% Rg和UIS测试,确保了可靠的栅极绝缘和雪崩耐受能力。脉冲漏电流IDM高达150A,表明它能够承受短时间的大电流冲击。此外,器件的雪崩能量EAS达到40mJ,这意味着它可以在设计允许的雪崩条件下安全工作。
散热性能是MOSFET设计中的关键因素,20N3LG-TO251-VB的最大结壳热阻RthJA为29°C/W,这意味着每增加1W的功率损耗,芯片温度将上升29°C。这个数值对于确定器件能否在特定环境温度下稳定工作至关重要。此外,器件的最大工作和存储温度范围为-55°C至150°C,适应性强,能在较宽的温度范围内可靠运行。
总结来说,20N3LG-TO251-VB是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,适用于需要高效能、低损耗和良好散热性能的电源转换应用。其低导通电阻和优秀的热管理特性使其成为DC/DC转换器的理想选择。
2024-01-08 上传
2024-01-05 上传
2023-12-29 上传
2023-12-19 上传
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