TI-CSD43301Q5M：高性能智能同步整流器
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更新于2024-06-29
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TI-CSD43301Q5M是一款由德州仪器（Texas Instruments）推出的NexFET智能同步整流器，专门设计用于高功率、高密度的DC/DC转换器的次级同步整流。该器件具有诸多优秀特性，旨在提升电源转换效率，减小系统尺寸，并简化整体设计流程。
该智能同步整流器的主要特性包括：
1. 高效性能：在VDD为4.5V时，导通电阻Ron仅为55mΩ，这确保了在大电流工作状态下极低的功率损耗。
2. 大电流能力：最大额定电流达到80A，能够处理高功率需求的应用场景。
3. 小型化封装：采用5mm x 6mm的小外形尺寸无引线(SON)封装，提高了功率密度，减少了板级空间。
4. 低电感封装：优化的封装设计有助于降低电感，从而提高效率和瞬态响应。
5. 系统优化：与TTL兼容的输入信号使其易于集成，同时，PCB布局已经过优化，减少了设计时间和复杂性。
6. 环保材料：无卤素器件，符合RoHS标准，无铅端子镀层，符合绿色环保要求。
此外，CSD43301Q5M还具备以下优势：
7. 快速响应：内置驱动器集成电路与超低功耗MOSFET集成在一起，实现了快速开关，进一步提升了效率。
8. 应用广泛：适用于各种DC/DC转换器的次级同步整流，特别适合需要高效能和小型化设计的电源解决方案。
9. 易于采购：提供2500个一卷的卷带包装，方便批量生产和供应链管理。
TI-CSD43301Q5M是高功率DC/DC转换应用的理想选择，它结合了高性能、小型化和环保特性，简化了设计，同时提高了系统的可靠性和效率。这款智能同步整流器在电源转换领域具有显著的技术优势，适用于各种关键的电源管理解决方案。
CSD43301Q5M
www.ti.com.cn
ZHCSAI6B –DECEMBER 2012–REVISED MAY 2013
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
A
= 25°C, V
DD
= 5V (unless otherwise noted)
PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
Device On Resistance
I
D
= 50A, , T
J
= 25°C 0.55 0.70 mΩ
R
on
I
D
= 50A, T
J
= 125°C 0.70 0.88 mΩ
V
DD
Standby Supply Current ( I
DD
) SD = V
DD
= 5V 153 300 µA
SD = 0V,
Operating Supply Current (I
DD
) 29.5 mA
IN = 50% Duty Cycle, f
SW
= 300kHz
POWER-ON RESET AND UNDER VOLTAGE LOCKOUT
T
A
= 25°C 3.9 4.2 4.5 V
Power on Reset (V
DD
Rising)
T
A
= -40°C to 140°C 3.7 4.2 4.65 V
UVLO (V
DD
Falling) 3.45 3.9 4.35 V
Hysteresis 200 300 500 mV
IN
IN Logic Level High (V
INH
) 2.0 V
IN Logic Level Low (V
INL
) 0.8 V
IN Input Hysteresis 0.8 V
IN to DRAIN Propagation Delay (t
PDLH
) 32 ns
IN to DRAIN Propagation Delay (t
PDHL
) V
DD
= 5V, SD = 0, I
D
= 25A (See Figure 4) 80 ns
Minimum Pulse Width Changes Output 36 48 ns
SD
SD Logic Level High Threshold (V
IH
) 2.0 V
SD Logic Level Low Threshold (V
IL
) 0.8 V
Hysteresis 0.8 V
SD to DRAIN Propagation Delay (t
PDLH
) 80 ns
V
DD
= 5V, IN = V
DD
, I
D
= 25A (See Figure 5)
SD to DRAIN Propagation Delay (t
PDHL
) 32 ns
Dynamic Characteristics
Output Capacitance (C
O
) 10 13 nF
V
DRAIN
= 6V
Output Charge (Q
O
) 54 nC
Body Diode
Forward Voltage (V
F
) I
D
= 40A 0.75 0.85 V
Reverse Recovery Charge (Q
RR
) 161 nC
I
D
= 40A, V
DRAIN
= 6V, di/dt = 150A/µs
Reverse Recovery Time Delay (t
RR
) 72 ns
Copyright © 2012–2013, Texas Instruments Incorporated 3
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