CPH3417-TL-E-VB：SOT23封装20V N-Channel MOSFET特性和应用

"CPH3417-TL-E-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel场效应MOS管，适用于20V的工作电压，具有低至24mΩ的导通电阻（RDS(ON)），适用于VGS为4.5V或8V的情况。其阈值电压Vth在0.45~1V之间，适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。这款MOS管是无卤素设计，符合IEC61249-2-21标准，并且符合RoHS指令。此外，它还经过了100%的Rg测试，确保了产品质量。" CPH3417-TL-E-VB是一款由VBsemi制造的高性能N沟道MOSFET，采用了先进的TrenchFET功率MOSFET技术，这使得它具有更小的体积、更低的导通电阻以及更好的热性能。它的最大持续漏源电压（VDS）为20V，这意味着它可以在20V的电压下稳定工作而不会损坏。同时，该器件的最大连续漏极电流（ID）在不同温度下有所不同，例如在TJ=150°C时为6A，而在TJ=25°C或70°C时则分别为5.1A和4.1A。 其导通电阻（RDS(on)）是衡量MOSFET在开启状态下电阻的关键参数，低的RDS(on)意味着在相同电流下，MOSFET将产生更少的功率损耗。CPH3417-TL-E-VB的RDS(on)在VGS=4.5V时为0.028Ω，在VGS=8.8V时为0.042Ω，而VGS=1.8V时为0.050Ω。这个数值表明，随着栅极电压的增加，导通电阻降低，从而提高了效率。 此外，这款MOSFET的栅极电荷（Qg）是评估开关速度和开关损耗的一个因素。对于CPH3417-TL-E-VB，Qg的典型值在不同的VGS条件下有所不同，反映了其开关性能。MOSFET的封装限制了其在特定条件下的性能，例如这里的ID和Qg值。 在应用方面，CPH3417-TL-E-VB常用于DC/DC转换器，这是因为它能够高效地控制电流并切换电源。它也适合用作便携式设备的负载开关，因为其紧凑的SOT23封装使其易于安装在空间有限的电路板上。考虑到其无卤素的设计，该器件符合环保要求，适用于各种对环保有严格要求的产品。 在安全和寿命方面，CPH3417-TL-E-VB的最大脉冲漏极电流（IDM）为20A，连续源漏极二极管电流（IS）为1.75A，最大功率耗散（PD）在不同温度下有所变化。器件的工作和储存温度范围为-55°C到150°C，确保了在广泛的环境条件下稳定运行。对于焊接操作，也有相应的推荐指导。 总结来说，CPH3417-TL-E-VB是一款高效、环保且适合于多种应用的N-Channel MOSFET，其特性使其在电源管理和开关应用中表现出色，特别是对于需要小巧封装和低功耗的便携式设备。