EUV光刻缺陷掩模快速仿真与补偿研究

"极紫外光刻含缺陷掩模仿真模型及缺陷的补偿" 在极紫外（EUV）光刻技术中，掩模的缺陷是影响集成电路制造精度和良率的重要因素。本文提出了一种基于单平面近似理论的快速缺陷掩模仿真模型，旨在提高仿真效率并准确预测缺陷对光刻过程的影响。此模型通过相位突变和振幅衰减来模拟缺陷对多层膜反射系数的改变，同时采用薄掩模修正模型来处理吸收层的复杂行为。 在22纳米的三维接触孔图形实例中，当图形周期为60纳米时，该仿真模型相较于传统的波导法严格仿真，其运行速度提高了10倍以上，而关键尺寸（CD）的仿真误差保持在0.6纳米以内，显示出较高的精度和效率。这种高效的仿真工具使得掩模缺陷的补偿计算成为可能。通过对掩模缺陷进行补偿计算，研究者得出了与严格仿真结果一致的最佳图形修正量，这有助于在实际生产中修复或减轻缺陷带来的负面影响。 文中还引入了“缺陷的可补偿性”这一概念，探讨了不同形态和尺寸的缺陷是否可以通过光刻工艺调整进行补偿。对于二维图形的缺陷，作者进行了深入分析，揭示了缺陷可补偿性的条件和限制，这对于优化光刻工艺、提升芯片制造质量具有重要意义。 这篇研究工作为EUV光刻中的缺陷管理提供了一种快速而准确的方法，有助于在早期设计阶段识别和处理掩模缺陷，从而减少生产成本，提高半导体器件的性能和可靠性。这一模型和缺陷补偿策略对于推动EUV光刻技术的发展和广泛应用具有积极的作用。