英飞凌CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET技术规格与应用

"INFINEON英飞凌的IMYH200R050M1H是一款基于CoolSiC™技术的2000V SiC Trench MOSFET芯片，具备高性能和优化的热特性，适用于光伏逆变器、太阳能功率优化器以及电动车充电等领域。" IMYH200R050M1H是英飞凌科技公司推出的一款高级电子元器件，它是一种2000伏特硅碳（SiC）沟槽MOSFET，采用创新的.XT互连技术，显著提升了热性能。该芯片的主要特性包括： 1. **额定电压（VDSS）**：在结温Tvj为25°C时，最大工作电压为2000V，这使得该器件能够承受高压环境，适用于高电压应用。 2. **连续漏电流（IDCC）**：在25°C的结温下，连续漏电流为48A，表明其具有较高的电流承载能力。 3. **导通电阻（RDS(on)）**：在栅极电压VGS为18V，结温Tvj为25°C时，导通电阻仅为50毫欧，意味着低损耗开关性能，能有效提高效率。 4. **阈值电压（VGS(th)）**：门极阈值电压为4.5V，这是一个基准值，确保了器件在不同条件下的稳定工作。 5. **坚固的体二极管**：内置的体二极管设计支持硬换流，增强了系统的鲁棒性。 6. **.XT互连技术**：这种先进技术提供了卓越的热性能，确保芯片在高功率运行时保持凉爽，从而提高了系统的可靠性。 潜在的应用场景广泛，包括： - **串式逆变器**：在光伏系统中，这种MOSFET可以用于高效能量转换。 - **太阳能功率优化器**：优化太阳能板的输出，确保最佳的能量利用率。 - **电动车充电**：在电动汽车充电设施中，高电压、低损耗的特性使其成为理想的组件。 产品验证方面，IMYH200R050M1H已通过JEDEC的47/20/22相关测试，适合工业应用。用户还应注意应用笔记AN2019-05，其中包含了功率和热循环的相关信息。 封装信息显示，该器件采用PG-TO247-4-PLUS-NT14封装，标记为20M1H050。值得注意的是，源极和传感引脚不交换，以防可能导致功能异常（仅针对4引脚，TO263-7L封装）。 这款CoolSiC™2000V SiC Trench MOSFET的数据表提供了详细的技术规格和安全注意事项，使用者在操作前应仔细阅读文档末尾的"重要通知"和"警告"部分。最后，此数据表的版本为1.01，发布日期为2022年10月6日。