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东芝15nm 32GB e-MMC高级版规格书(v5.1)
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更新于2024-07-16
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THGBMHG8C2LBAIL是一款由东芝生产的32GB密度e-MMC模块,采用了15纳米工艺制造,封装在153球BGA(Ball Grid Array)包装中。这款产品集成了先进的东芝 NAND闪存设备和控制器芯片,作为多芯片模块(Multi-Chip Module)提供,旨在满足不同场合的需求,其设计遵循业界标准的MMC协议,使得用户可以轻松接入并操作。 该模块的核心特性包括: 1. 接口: THGBMHG8C2LBAIL支持JEDEC/MMC版本5.1,具备1-I/O、4-I/O和8-I/O模式,适应不同的应用需求和速度要求。 2. 连接引脚: 提供了详细的引脚连接列表,包括数据线(DAT0-7)、电源(VDDi、Vcc、VccQ)、接地(Vss、VssQ)和控制信号(RST_n、CMD、CLK),以及预留的未来用途引脚(RFU)和供应商特定功能引脚(VSF)。 3. 封装: 采用P-WFBGA153-1113-0.50封装,尺寸为11.5毫米x13毫米,最大高度为0.8毫米,确保了紧凑的设计和良好的散热性能。 4. 功能特性: 由于是e-MMC模块,其主要功能是存储和传输数据,包括程序代码和用户数据,能够在计算机运行过程中快速读写,对数据进行管理和保护。 5. 兼容性: 通过MMC协议5.1版本,THGBMHG8C2LBAIL能与广泛的应用系统无缝集成,支持多种操作系统和设备。 THGBMHG8C2LBAIL是一款高性能、低功耗的存储解决方案,适合于移动设备、嵌入式系统和物联网设备中对存储容量有较高要求的应用场景,它的设计和功能使其在现代电子设备中扮演着至关重要的角色,确保了数据的安全性和可靠性。
资源详情
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THGBMHG8C2LBAIL
6 Sep. 16th, 2015
Density Specifications
Density
Part Number
Interleave
Operation
User Area Density
[Bytes]
SEC_COUNT in
Extended CSD
32GB
THGBMHG8C2LBAIL
2 Interleave
31,268,536,320
0x03A3E000
1) User area density shall be reduced if enhanced user data area is defined.
Register Informations
OCR Register
OCR bit
VDD Voltage window
Value
[6:0]
Reserved
000 0000b
[7]
1.70-1.95
1b
[14:8]
2.0-2.6
000 0000b
[23:15]
2.7-3.6
1 1111 1111b
[28:24]
Reserved
0 0000b
[30:29]
Access Mode
10b
[31]
( card power up status bit (busy) )
1
1) This bit is set to LOW if the Device has not finished the power up routine.
CID Register
CID-slice
Name
Field
Width
Value
[127:120]
Manufacturer ID
MID
8
0001 0001b
[119:114]
Reserved
-
6
0b
[113:112]
Device/BGA
CBX
2
01b
[111:104]
OEM/Application ID
OID
8
0b
[103:56]
Product name
PNM
48
0x30 33 32 47 33 32 (032G32)
[55:48]
Product revision
PRV
8
0x00
[47:16]
Product serial
PSN
32
Serial number
[15:8]
Manufacturing date
MDT
8
see-JEDEC Specification
[7:1]
CRC7 checksum
CRC
7
CRC7
[0]
Not used, always ‘1’
-
1
1b
![](https://csdnimg.cn/release/download_crawler_static/11865965/bg7.jpg)
THGBMHG8C2LBAIL
7 Sep. 16th, 2015
CSD Register
CSD-slice
Name
Field
Width
Cell Type
Value
[127:126]
CSD structure
CSD_STRUCTURE
2
R
0x3
[125:122]
System specification version
SPEC_VERS
4
R
0x4
[121:120]
Reserved
-
2
R
0x0
[119:112]
Data read access-time 1
TAAC
8
R
0x27
[111:104]
Data read access-time 2 in CLK cycles
(NSAC * 100)
NSAC
8
R
0x00
[103:96]
Max. bus clock frequency
TRAN_SPEED
8
R
0x32
[95:84]
Device command classes
CCC
12
R
0x8F5
[83:80]
Max. read data block length
READ_BL_LEN
4
R
0x9
[79:79]
Partial blocks for read allowed
READ_BL_PARTIAL
1
R
0x0
[78:78]
Write block misalignment
WRITE_BLK_MISALIGN
1
R
0x0
[77:77]
Read block misalignment
READ_BLK_MISALIGN
1
R
0x0
[76:76]
DSR implemented
DSR_IMP
1
R
0x0
[75:74]
Reserved
-
2
R
0x0
[73:62]
Device size
C_SIZE
12
R
0xFFF
[61:59]
Max. read current @ VDD min.
VDD_R_CURR_MIN
3
R
0x7
[58:56]
Max. read current @ VDD max.
VDD_R_CURR_MAX
3
R
0x7
[55:53]
Max. write current @ VDD min.
VDD_W_CURR_MIN
3
R
0x7
[52:50]
Max. write current @ VDD max.
VDD_W_CURR_MAX
3
R
0x7
[49:47]
Device size multiplier
C_SIZE_MULT
3
R
0x7
[46:42]
Erase group size
ERASE_GRP_SIZE
5
R
0x1F
[41:37]
Erase group size multiplier
ERASE_GRP_MULT
5
R
0x1F
[36:32]
Write protect group size
WP_GRP_SIZE
5
R
0x07
[31:31]
Write protect group enable
WP_GRP_ENABLE
1
R
0x1
[30:29]
Manufacturer default ECC
DEFAULT_ECC
2
R
0x0
[28:26]
Write speed factor
R2W_FACTOR
3
R
0x1
[25:22]
Max. write data block length
WRITE_BL_LEN
4
R
0x9
[21:21]
Partial blocks for write allowed
WRITE_BL_PARTIAL
1
R
0x0
[20:17]
Reserved
-
4
R
0x0
[16:16]
Content protection application
CONTENT_PROT_APP
1
R
0x0
[15:15]
File format group
FILE_FORMAT_GRP
1
R/W
0x0
[14:14]
Copy flag (OTP)
COPY
1
R/W
0x0
[13:13]
Permanent write protection
PERM_WRITE_PROTECT
1
R/W
0x0
[12:12]
Temporary write protection
TMP_WRITE_PROTECT
1
R/W/E
0x0
[11:10]
File format
FILE_FORMAT
2
R/W
0x0
[9:8]
ECC code
ECC
2
R/W/E
0x0
[7:1]
CRC
CRC
7
R/W/E
CRC
[0]
Not used, always ‘1’
-
1
-
0x1
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