IPD640N06LG-VB: TO252封装60V 45A MOSFET详解及参数

IPD640N06LG-VB是一款由VBsemi公司生产的TrenchFET®系列高性能N沟道功率MOSFET，它采用了TO252封装，适合于高电压、大电流的应用场景。这款MOSFET的主要特点包括： 1. **技术规格**： - **电压等级**：最大集电极-源极电压（VDS）为60V，确保了器件在高压环境下工作。 - **导通电阻（RDS(ON)**：在10V门极电压（VGS）下，RDS(ON)低至24毫欧姆，表现出优秀的开关效率；而在4.5V VGS时，RDS(ON)上升到28毫欧姆。 - **电流能力**：持续集电极电流（ID）在标准条件下可达45A，且支持脉冲电流（IDM）高达100A，确保了强大的功率处理能力。 - **温度限制**：结温高达175°C，适合工业级应用，并提供了不同的电流限制在不同温度下的数据。 2. **热性能**： - **热阻抗**：包括junction-to-ambient (RthJA)典型值为18°C/W，以及steady-state下的40°C/W，表明器件在散热设计上有良好的表现。 - **封装特性**：TO252封装提供了一定的机械强度和散热面积，便于散热器集成。 3. **安全特性**： - **操作和存储温度范围**：从-55°C到175°C，确保在宽温范围内稳定工作。 - **过载保护**：通过设定单次雪崩能量（EAS）和最大功率损耗（PD）来防止器件损坏。 4. **符合性**： - **RoHS**：该产品符合RoHS指令，强调了环保合规性，减少了有害物质的使用。 5. **应用与服务**： - IPD640N06LG可用于各种电源管理、电机控制等高效率电路设计，适合在短路或负载变化较大的情况下保持稳定运行。 - 提供客户服务热线400-655-8788，为用户提供技术支持和咨询。 总结来说，IPD640N06LG-VB是一款专为高电压、大电流应用设计的高性能N沟道MOSFET，其优秀的电性能、宽广的工作温度范围以及良好的热管理能力使其在电子设计中具有广泛应用潜力。在实际使用时，需注意在指定的温度条件和脉冲电流限制内操作，以确保器件的长期稳定性和可靠性。