ME15N10-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET技术规格

"ME15N10-VB是一款N沟道TO252封装的MOSFET，适用于100V的工作电压，优化于PWM应用，具有175°C的结温，并且符合RoHS指令。这款MOSFET在VGS=10V时，RDS(on)为0欧姆，适用于主侧开关等应用。其绝对最大额定值包括100V的VDS、±20V的VGS、在不同温度下的连续和脉冲电流，以及相应的功率耗散和热特性。" ME15N10-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用先进的TrenchFET技术制造。这种技术通过在硅片上创建沟槽结构，实现了更低的电阻和更好的热性能，从而提高了器件的效率和可靠性。MOSFET的N沟道设计意味着它在栅极与源极之间施加正电压时导通，适合在低电压、大电流应用中作为开关元件使用。 该器件的最大工作电压VDS为100V，这意味着在正常操作条件下，源极和漏极之间的电压不应超过这个值。其栅极-源极电压VGS的额定值为±20V，确保了在各种控制信号下的稳定工作。此外，MOSFET的RDS(on)参数在VGS=10V时为0欧姆，这意味着在满载条件下，器件的导通电阻非常低，从而降低了在高电流状态下的功率损耗。 ME15N10-VB被优化用于脉宽调制（PWM）应用，这是一种广泛应用于电源管理和电机控制的技术。这款MOSFET能够承受175°C的最高结温，这使得它能够在高温环境下持续工作。同时，器件符合RoHS指令2002/95/EC，意味着它是无铅的，并且满足欧洲关于有害物质限制的法规要求。 在性能方面，ME15N10-VB具有明确的电流和功率等级。例如，当结温TJ为175°C时，连续漏极电流ID为13A；而在25°C时，其最大功率耗散PD可达96W。此外，还给出了脉冲漏极电流IDM、连续源电流IS、雪崩电流IAS以及单脉冲雪崩能量EAS的极限值，这些参数对于确保器件在过载或瞬态条件下的安全运行至关重要。 热特性也是这款MOSFET的重要组成部分。其结至环境的热阻RthJA和结至壳的热阻RthJC的典型值分别为15和0.85°C/W，这表明器件在散热方面有良好的性能，有助于保持较低的温度，延长器件寿命。 ME15N10-VB是一种高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高效、耐高温和PWM控制的电源系统，例如在主侧开关应用中。其低RDS(on)、高结温和出色的热管理能力，使其成为许多电子设计的理想选择。