STD100N10F7-VB是一款N沟道TO252封装的功率MOSFET,它属于高压开关元件,专为工业级应用设计,特别适合在高电压和大电流环境下工作。该器件的特点包括:
1. **封装类型**: TO252封装,这是一种常见的散热器型封装,提供良好的散热性能,适合于功率需求较大的电路。
2. **电气特性**:
- **漏源电压 (VDS)**: 最大额定值为100V,确保了器件在正常工作时的安全范围。
- **栅源电压 (VGS)**: 允许的绝对最大值为±20V,这对于控制和驱动MOSFET的开关特性至关重要。
- **持续导通电流 (ID)**: 在Tj = 25°C条件下,长期工作电流可达85A,而在125°C时略有降低。
- **脉冲电流 (DM)**: 针对短时间的大电流冲击,允许的最大脉冲电流为300A。
- **雪崩电流 (I_A)**: 当L = 0.1mH时,单次脉冲雪崩能量为280mJ,这是在极端条件下的过载保护指标。
- **最大功率损耗 (PD)**: 在25°C时,TO-252封装的典型最大功率为210W,在更高温度下可能有所不同。
3. **温度范围**:
- **操作结温 (TJ)**: 范围从-55°C到175°C,涵盖了广泛的环境应用。
- **存储温度范围 (T_stg)**: 与操作温度相似,同样考虑到了器件的长期储存稳定性。
4. **安全限制**:
- 除了列出的绝对最大值,超出这些限制可能导致设备永久损坏。这些是应力极限,不是推荐的操作条件,长时间暴露于最高限制可能会对设备可靠性产生负面影响。
5. **表面安装选项**: 对于某些表面安装应用,该产品也提供了相应的版本,方便在电路板上集成。
6. **符号和参数表**:
- RDS(on) 表示在不同VGS电压下的漏源阻抗,如在VGS = 100V时,RDS(on)为0.0075Ω,而在VGS = 4.5V时则为0.0095Ω。
STD100N10F7-VB是一款适用于工业级开关应用的高性能MOSFET,具有良好的耐压、大电流处理能力和宽广的温度适应性。在实际设计中,工程师需要根据具体电路要求,结合设备的极限参数和安全性考虑来选择和使用这款器件。