N沟道TO252封装MOS管 STD100N10F7-VB：高耐压、大电流特性

STD100N10F7-VB是一款N沟道TO252封装的功率MOSFET，它属于高压开关元件，专为工业级应用设计，特别适合在高电压和大电流环境下工作。该器件的特点包括： 1. **封装类型**: TO252封装，这是一种常见的散热器型封装，提供良好的散热性能，适合于功率需求较大的电路。 2. **电气特性**: - **漏源电压 (VDS)**: 最大额定值为100V，确保了器件在正常工作时的安全范围。 - **栅源电压 (VGS)**: 允许的绝对最大值为±20V，这对于控制和驱动MOSFET的开关特性至关重要。 - **持续导通电流 (ID)**: 在Tj = 25°C条件下，长期工作电流可达85A，而在125°C时略有降低。 - **脉冲电流 (DM)**: 针对短时间的大电流冲击，允许的最大脉冲电流为300A。 - **雪崩电流 (I_A)**: 当L = 0.1mH时，单次脉冲雪崩能量为280mJ，这是在极端条件下的过载保护指标。 - **最大功率损耗 (PD)**: 在25°C时，TO-252封装的典型最大功率为210W，在更高温度下可能有所不同。 3. **温度范围**: - **操作结温 (TJ)**: 范围从-55°C到175°C，涵盖了广泛的环境应用。 - **存储温度范围 (T_stg)**: 与操作温度相似，同样考虑到了器件的长期储存稳定性。 4. **安全限制**: - 除了列出的绝对最大值，超出这些限制可能导致设备永久损坏。这些是应力极限，不是推荐的操作条件，长时间暴露于最高限制可能会对设备可靠性产生负面影响。 5. **表面安装选项**: 对于某些表面安装应用，该产品也提供了相应的版本，方便在电路板上集成。 6. **符号和参数表**: - RDS(on) 表示在不同VGS电压下的漏源阻抗，如在VGS = 100V时，RDS(on)为0.0075Ω，而在VGS = 4.5V时则为0.0095Ω。 STD100N10F7-VB是一款适用于工业级开关应用的高性能MOSFET，具有良好的耐压、大电流处理能力和宽广的温度适应性。在实际设计中，工程师需要根据具体电路要求，结合设备的极限参数和安全性考虑来选择和使用这款器件。