IPB100N04S4-H2-VB: N沟道4V MOSFET的高性能特性与应用

IPB100N04S4-H2-VB是一款N沟道TO263封装的高性能场效应晶体管，它采用TrenchFET® PowerMOSFET技术，具有出色的功率处理能力和可靠性。这款器件的主要特性包括： 1. **电压参数**： - 驱动源电压（VDS）: 4V，这是场效应晶体管在正常工作条件下允许的最大电压差。 - 漏源电压（VGS）: ±25V，这意味着该晶体管可以在宽广的电压范围内进行操作，但需注意最大值和安全工作区。 2. **电流规格**： - 连续漏极电流（ID）: 在25°C时为150A，但在较高温度下有所下降，如70°C时降为120A。 - 最大脉冲漏极电流（IDM）: 达到380A，适合短时间峰值电流应用。 - 单次脉冲雪崩电流（IAS）: 80A，用于衡量瞬时过载能力。 - 单次脉冲雪崩能量（EAS）: 320mJ，表示晶体管能承受的突发能量。 3. **散热与功率**： - 持续源漏电流（IS）: 在25°C时为110A，随温度升高而降低。 - 最大功率损耗（PD）: 室温下为312W，在不同温度条件下有不同的限制。 - 操作和储存温度范围：-55°C至+150°C。 4. **测试与可靠性**： - 100%的Rg和UISTest，确保了良好的栅极电阻和输入导通电压特性的稳定性。 5. **应用领域**： - 该场效应管适用于同步整流和电源供应等高效率、高功率密度的电路设计中。 6. **封装形式与限制**： - TO263封装，适合表面安装在1"x1"FR4板上，但最大结温限制电流为110A。 7. **热性能**： 提供了热阻参数，帮助用户了解设备在不同温度下的散热性能。 IPB100N04S4-H2-VB场效应管是针对特定应用需求设计的一款高电压、高电流、高可靠性的MOSFET，特别适合那些对功率密度、效率要求高的电子设备，如开关电源、电机驱动等领域。在使用时，务必注意其工作条件和极限参数，以确保设备的稳定性和安全性。