2SK2969-VB：SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格

"2SK2969-VB是一款由VBsemi生产的SOT23封装的N-Channel场效应MOS管。这款MOS管具备低电阻、高效能的特点，适用于DC/DC转换器等应用。" 2SK2969-VB是一款N-Channel沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用小型化SOT23封装，适合在空间有限的电路设计中使用。其主要特性包括： 1. **低导通电阻**：在VGS = 10V时，RDS(ON)仅为30mΩ，这表明在工作时，2SK2969-VB能提供极低的内阻，从而在高电流传输时减少功率损失。 2. **耐压能力**：2SK2969-VB能够承受高达30V的漏源电压（VDS），确保了在额定工作条件下的稳定性。 3. **电流能力**：在结温TJ = 150°C时，连续漏极电流ID最高可达6.5A。然而，随着温度的上升，ID会有所降低，如在TJ = 70°C时，ID降至6.0A。 4. **栅极电荷量**：Qg典型值为4.5nC，这意味着开关操作时所需的电荷量较小，有助于提高开关速度和效率。 5. **符合环保标准**：产品符合IEC61249-2-21的卤素免费标准，并且符合RoHS指令2002/95/EC，对环境友好。 6. **应用领域**：由于其高效的性能，2SK2969-VB适用于直流到直流转换器等电源管理应用。 参数规格方面，2SK2969-VB具有以下绝对最大额定值： - **门极-源极电压** (VGS)：±20V - **连续漏极电流** (ID)：在不同温度下有不同的最大值，例如在TJ = 25°C时，ID为6.5A，而在TJ = 70°C时，ID为5.0A。 - **脉冲漏极电流** (IDM)：25A，表明短时间内可承受的峰值电流。 - **连续源漏二极管电流** (IS)：在TJ = 25°C时，IS为1.4A，但表面安装在1"x1"FR4板上时，电流可能受限。 此外，该器件的热特性包括最大功率耗散（PD）和热阻抗，这些参数影响MOSFET在工作时的散热能力。在不同温度下，最大功率耗散也有所不同，如在TJ = 25°C时，PD为1.7W，在TJ = 70°C时，PD降至0.7W。 2SK2969-VB是一款设计精良、性能出色的N-Channel MOSFET，适用于需要高效能和紧凑封装的电源管理解决方案。