2SK2969-VB:SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格
"2SK2969-VB是一款由VBsemi生产的SOT23封装的N-Channel场效应MOS管。这款MOS管具备低电阻、高效能的特点,适用于DC/DC转换器等应用。" 2SK2969-VB是一款N-Channel沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用小型化SOT23封装,适合在空间有限的电路设计中使用。其主要特性包括: 1. **低导通电阻**:在VGS = 10V时,RDS(ON)仅为30mΩ,这表明在工作时,2SK2969-VB能提供极低的内阻,从而在高电流传输时减少功率损失。 2. **耐压能力**:2SK2969-VB能够承受高达30V的漏源电压(VDS),确保了在额定工作条件下的稳定性。 3. **电流能力**:在结温TJ = 150°C时,连续漏极电流ID最高可达6.5A。然而,随着温度的上升,ID会有所降低,如在TJ = 70°C时,ID降至6.0A。 4. **栅极电荷量**:Qg典型值为4.5nC,这意味着开关操作时所需的电荷量较小,有助于提高开关速度和效率。 5. **符合环保标准**:产品符合IEC61249-2-21的卤素免费标准,并且符合RoHS指令2002/95/EC,对环境友好。 6. **应用领域**:由于其高效的性能,2SK2969-VB适用于直流到直流转换器等电源管理应用。 参数规格方面,2SK2969-VB具有以下绝对最大额定值: - **门极-源极电压** (VGS):±20V - **连续漏极电流** (ID):在不同温度下有不同的最大值,例如在TJ = 25°C时,ID为6.5A,而在TJ = 70°C时,ID为5.0A。 - **脉冲漏极电流** (IDM):25A,表明短时间内可承受的峰值电流。 - **连续源漏二极管电流** (IS):在TJ = 25°C时,IS为1.4A,但表面安装在1"x1"FR4板上时,电流可能受限。 此外,该器件的热特性包括最大功率耗散(PD)和热阻抗,这些参数影响MOSFET在工作时的散热能力。在不同温度下,最大功率耗散也有所不同,如在TJ = 25°C时,PD为1.7W,在TJ = 70°C时,PD降至0.7W。 2SK2969-VB是一款设计精良、性能出色的N-Channel MOSFET,适用于需要高效能和紧凑封装的电源管理解决方案。
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