NTR4503NT1G-VB:30V SOT23封装N沟道MOSFET技术规格
"NTR4503NT1G-VB是一款N沟道SOT23封装的MOSFET,适用于DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具有低RDS(on),高效率和环保特性。" NTR4503NT1G-VB是一款由N沟道技术制造的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用小型SOT23封装,便于在紧凑的电路设计中使用。该器件的特点包括: 1. **TrenchFET® 技术**:使用沟槽结构的MOSFET,这种技术可以显著减小芯片面积,降低导通电阻(RDS(on)),从而提高效率并减少功耗。 2. **低RDS(on)**:在VGS = 10V时,RDS(on)仅为0.030欧姆,这表示当栅极电压达到10V时,MOSFET在导通状态下,源极到漏极之间的电阻非常低,能提供低损耗的开关性能。 3. **符合RoHS指令**:该器件符合RoHS指令2002/95/EC,这意味着它不含卤素,符合环保标准,适合绿色电子产品。 4. **100% Rg测试**:所有产品都经过栅极电阻(Rg)测试,确保了产品的质量和一致性。 5. **应用领域**:NTR4503NT1G-VB主要应用于DC/DC转换器,这是因为它能在电源管理中提供高效、可靠的电压转换。 在电气参数方面,该MOSFET具有以下特点: - **最大漏源电压(VDS)**:30V,这意味着MOSFET可以在不超过30V的电压下安全工作。 - **连续漏极电流(ID)**:在不同温度下,其值有所不同,例如在TJ = 150°C和TC = 25°C时为6.5A,在TC = 70°C时为6.0A。 - **脉冲漏极电流(IDM)**:25A,允许短时间内的大电流脉冲通过。 - **源漏二极管电流(IS)**:在特定条件下,器件可以作为二极管使用,如在TC = 25°C时,连续电流为1.4A。 - **最大功率耗散(PD)**:根据温度变化,最大功率耗散也不同,例如在TC = 25°C时为1.7W,在TC = 70°C时为1.1W。 此外,NTR4503NT1G-VB的绝对最大额定值和热特性也很重要。它能承受-55°C到150°C的结温范围,但长期工作应保持在150°C以下。在25°C环境下,焊锡推荐的峰值温度为260°C,而热阻特性对于散热和确保器件的稳定运行至关重要。 NTR4503NT1G-VB是一款高性能、环保且适用于电源转换的N沟道MOSFET,其优秀的电气特性使其在小型化、高效能的电子设备中具有广泛的应用潜力。
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