英飞凌IPD75N04S4-06 OptiMOS®-T2 功率晶体管技术规格

"IPD75N04S4-06是英飞凌公司生产的一款OptiMOS-T2 N沟道增强模式功率晶体管，适用于汽车电子和其他需要高效率、高性能电源管理的领域。这款芯片具有AEC（汽车电子委员会）认证，满足严格的汽车行业质量标准，并且符合RoHS规定，属于绿色产品。它能够承受高达260°C的峰值回流温度，并在正常操作环境下可承受175°C的高温。" IPD75N04S4-06的主要特性包括： 1. N通道增强模式：这是一种 MOSFET 设计，意味着当栅极电压高于源极电压时，它将导通，允许电流从漏极流向源极。 2. AEC合格：符合汽车行业的质量标准，适合在汽车电子系统中使用。 3. MSL1等级：湿度敏感度等级1，表示其在储存和处理过程中对湿度有较高的抵抗力，适合长期存储。 4. 高温运行能力：芯片可以在175°C的高温下连续工作，这在许多工业和汽车应用中非常关键。 5. 100%雪崩测试：确保芯片在设计的最大电流下能承受雪崩效应，增强了其可靠性。 关键规格参数： - 连续漏极电流（ID）：在25°C和10V栅极电压下，最大75A；在100°C和10V栅极电压下，最大53A。 - 短时脉冲漏极电流（ID,pulse）：在25°C下，最大300A。 - 单脉冲雪崩能量（EAS）：在35A电流下，最大72mJ。 - 突峰雪崩电流（IAS）：最大75A。 - 栅极源电压（VGS）：最大±20V。 - 功率耗散（Ptot）：在25°C下，最大58W。 - 操作和存储温度范围：-55°C到175°C。 - 电气特性如阈值电压（VGS(th)）、导通电阻（RDS(on)）等未给出具体值，但通常RDS(on)越小，开关效率越高。 - 热特性包括结-壳热阻（RthJC）和结-环境热阻（RthJA），分别代表了芯片内部热能传递至外壳和周围环境的效率。 封装信息： - IPD75N04S4-06采用PG-TO252-3-313封装，标记为4N0406，表明了其物理尺寸和引脚配置。 总结： IPD75N04S4-06是一款高性能的功率MOSFET，适合于需要高电流、低损耗和高可靠性的应用。其在汽车电子、电源转换、电机驱动等领域有着广泛的应用潜力，尤其是在需要承受高温和恶劣环境条件的场合。由于其AEC认证和RoHS合规性，它是汽车和工业市场中理想的电子元器件选择。