"HM2324E-VB是一款N沟道的TrenchFET功率MOSFET,采用SOT23封装,适用于DC/DC转换器、负载开关及LCD电视LED背光照明等应用。该器件经过100%的Rg和UIS测试,确保了其可靠性和性能。"
HM2324E-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其主要特点在于采用了TrenchFET技术,这是一种先进的制造工艺,能提供更低的导通电阻和更高的开关速度,从而在电源管理应用中实现更高效的能量传输和更低的功耗。
这款MOSFET的最大drain-source电压(VDS)为100伏特,表明它可以承受较高的电压波动而不致损坏。其在不同gate-source电压(VGS)下的RDS(on)分别为:当VGS=10V时,RDS(on)为0.240欧姆;当VGS=6V时,RDS(on)降低至约1.8欧姆;而当VGS=4.5V时,RDS(on)进一步降至1.7欧姆。低的RDS(on)意味着在导通状态下流经通道的电阻较小,这有助于减少功率损耗并提高系统的效率。
HM2324E-VB的连续drain电流(ID)在不同温度下有所不同,如在25°C下,最大ID为2.0安培,而在70°C时,ID降为1.3安培。此外,它还能承受脉冲drain电流(IDM)高达7安培,以及连续source-drain二极管电流(IS)达2.1安培。这些参数确保了该MOSFET在各种工作条件下具有良好的电流承载能力。
该器件还具有单脉冲雪崩电流(IAS)为5安培的能力,以及单脉冲雪崩能量(EAS)1.25毫焦,这表明它能够在规定的条件下承受过载而不会损坏。最大功率耗散(PD)在25°C时为2.5瓦,在70°C时则降至1.6瓦,这与它的热特性有关,包括在不同温度下的最大结温和存储温度范围(-55到150°C)。
在实际应用中,例如在DC/DC转换器中,HM2324E-VB可以作为开关元件,控制电流流动以调节电压输出。在负载开关应用中,它能有效地控制电路的开启和关闭。至于LCD电视的LED背光照明,此MOSFET可以精确控制LED串的电流,确保亮度的一致性和能效。
HM2324E-VB MOSFET以其小巧的SOT23封装、优异的电气性能和广泛的应用范围,成为电子设计者在电源管理、控制和节能解决方案中的理想选择。其各项参数均经过严格测试,确保了在不同工作条件下的稳定性和可靠性。