NT2955G-VB: TO252封装P沟道60V高流密度MOSFET详解
59 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 261KB PDF 举报
NT2955G-VB是一款由VBsemi公司生产的P沟道高压MOSFET,采用TO252封装,特别适合于需要高电压和大电流处理的应用。这款器件具有以下关键特性:
1. **电压和电阻特性**:
- VDS(漏极电压)最大值为-60V,确保了在极端工作条件下能够提供足够的隔离。
- RDS(ON) 是衡量MOSFET导通时的电阻,当VGS(栅极源电压)为-10V时,其典型值为61mΩ,显示出良好的开关效率;而在VGS为-4.5V时,这一值上升到72mΩ,表明随着电压降低,电阻会增加。
- VGS的额定范围为±20V,确保了栅极控制的有效性。
2. **电流能力**:
- 连续 Drain Current (ID) 在室温下限制在-30A,而在100°C高温下,该值下降到-25A,考虑到了散热的影响。
- Pulsed Drain Current (IDM) 和 Diode Conduction Current (IS) 分别为-20A和-20A,反映了器件在脉冲条件下的性能。
- Avalanche Current (IAS) 和单脉冲雪崩能量(EAS)也提供了对过电压保护的重要参数,EAS为7.2mJ,对于防止器件损坏至关重要。
3. **热管理**:
- 最大功率耗散(PD)在25°C环境温度下为34W,但需注意实际工作时可能需要更严格的散热设计。
- Junction-to-Ambient thermal resistance (RthJA) 在短暂10秒内典型值为20°C/W,而 Steady State 时则为62°C/W,这些数据帮助设计者评估散热设计要求。
- Junction-to-Case thermal resistance (RthJC) 是0.5°C/W至0.6°C/W,体现了内部热量传递的效率。
4. **技术特点**:
- NT2955G采用Trench FET®技术,这是一种先进的制造工艺,提供了更高的效率和更低的寄生电容,有助于提高电路响应速度和降低噪声。
- 产品经过100%的UISTest(可能是Under Voltage Stress Test,即电压应力测试),保证了产品的稳定性和可靠性。
5. **应用场景**:
- 主要应用于负载开关等需要承受高电压和大电流变化的电路中,如电源管理、电机控制等。
6. **支持与服务**:
- 提供客户服务热线400-655-8788,以获取关于产品应用和技术支持的专业指导。
总结来说,NT2955G-VB是一款高性能的高压P沟道MOSFET,通过精确的电气参数和卓越的热管理特性,为工业级应用提供了可靠的解决方案。设计者在选择和使用此类器件时,需要仔细考虑其工作电压、电流限制以及散热设计,以确保电路的正常运行和安全。
2023-10-12 上传
2023-10-12 上传
2023-10-05 上传
2024-02-01 上传
2023-06-14 上传
2023-06-13 上传
2023-06-13 上传
2023-06-13 上传
2024-04-13 上传
![](https://profile-avatar.csdnimg.cn/9c4f80bbd049454a89a68628a5c999c7_vbsemi.jpg!1)
微碧VBsemi
- 粉丝: 6898
- 资源: 2236
最新资源
- 解决本地连接丢失无法上网的问题
- BIOS报警声音解析:故障原因与解决方法
- 广义均值移动跟踪算法在视频目标跟踪中的应用研究
- C++Builder快捷键大全:高效编程的秘密武器
- 网页制作入门:常用代码详解
- TX2440A开发板网络远程监控系统移植教程:易搭建与通用解决方案
- WebLogic10虚拟内存配置详解与优化技巧
- C#网络编程深度解析:Socket基础与应用
- 掌握Struts1:Java MVC轻量级框架详解
- 20个必备CSS代码段提升Web开发效率
- CSS样式大全:字体、文本、列表样式详解
- Proteus元件库大全:从基础到高级组件
- 74HC08芯片:高速CMOS四输入与门详细资料
- C#获取当前路径的多种方法详解
- 修复MySQL乱码问题:设置字符集为GB2312
- C语言的诞生与演进:从汇编到系统编程的革命