STM32 FSMC扩展SRAM时序配置与测量解析

"本文主要介绍了如何在STM32微控制器上使用FSMC（Flexible Static Memory Controller）扩展SRAM，并详细探讨了时序测量与配置。文章涵盖了STM32F103、STM32F2/F4系列以及两种不同型号的SRAM（IS61LV25616和EM681FV16AU）的时序配置方法。作者aozima在2012年4月30日分享了这一技术知识。" 在STM32的FSMC扩展SRAM过程中，时序配置至关重要，因为它直接影响到数据传输的正确性和效率。STM32F103的FSMC支持两种工作模式：模式1和模式A，其中模式A允许独立调整读写时序，而NOE信号在地址建立延时之后才生效。由于固件库中只提供了模式A的配置，因此不使用扩展模式实际上就是模式1。 时序参数包括地址建立时间（ADDSET）和数据设置时间（DATSET），它们决定了SRAM的最小读写周期。读时序中，基本时间单位是HCLK，地址建立时间至少为ADDSET+1个HCLK周期，数据设置为DATSET+1个HCLK周期，读取数据前还需要2个HCLK周期，读操作结束后还有6个HCLK周期的数据总线恢复时间。根据这些参数，最短读取时间为5HCLK，最短写入时间为3HCLK。 在STM32F103的时序测量中，假设主频为72MHz，HCLK周期为13.89ns。测试中，地址建立时间设为0，数据建立时间为1，读等待时间（BUSTURN）为6HCLK，且不使用扩展模式。通过CPU访问SRAM，可以观察到CS、NOE和NWE信号的变化，以验证实际的时序是否符合配置。 对于不同的STM32系列，如STM32F2/F4，其FSMC扩展SRAM的时序配置可能有所不同，需要按照具体芯片的数据手册进行设置。此外，特定型号的SRAM如IS61LV25616和EM681FV16AU，它们可能有不同的时序要求，需要参照SRAM的数据手册进行配置，确保与STM32的FSMC接口兼容。 总结来说，STM32的FSMC扩展SRAM时序配置是一个涉及多个参数的过程，需要精确计算和设置，以确保微控制器与SRAM之间的通信高效且无误。通过测量和分析时序，可以优化系统性能，提高系统的响应速度和稳定性。