英飞凌SPP04N80C3高压MOSFET技术规格手册

SPP04N80C3是一款由英飞凌(INFINEON)生产的CoolMOSTM Power Transistor，它采用革命性的高电压技术，专为工业应用设计，特别适合在高压直流（DC）电压环境下工作。这款芯片具有极高的dv/dt抗扰能力，能够在瞬间承受极大的电压变化，确保在开关应用（如主动钳位前向）中的可靠性能。 以下是SPP04N80C3的主要特性： 1. **新型高电压技术**：该芯片基于创新设计，能够处理高达800V的电源电压，满足了对高电压耐受度的要求。 2. **极高的dv/dt耐受性**：能在短时间内承受高达VDS=0...640V的电压变化速率，这对于保护电路免受瞬态过电压的影响至关重要。 3. **峰值电流能力**：芯片具备强大的连续和脉冲峰值电流处理能力，能满足特定应用中的电流需求。 4. **符合JEDEC标准**：产品经过严格的JEDEC认证，确保在目标应用中的性能和可靠性。 5. **无铅环保**：采用无铅焊盘，且符合RoHS (Restriction of Hazardous Substances)法规，体现了英飞凌对环境保护的关注。 6. **低门极充电和有效电容**：低门极充电时间以及极低的栅极-源极间电容，有助于降低功耗并提高开关速度。 7. **应用范围**：SPP04N80C3适用于工业环境中需要高电压隔离的场合，如电机驱动、逆变器等。 8. **规格参数**： - 连续和脉冲峰值电流（ID, ID,pulse）在不同温度下有明确限制。 - 单次和重复性雪崩能量（EAS, EAR）在特定条件下提供数据。 - 雪崩电流（IAR）、最大集电极-源极电压（VDS）、最大导通电阻（RDS(on)）、典型门极电荷（Qg,typ）等都有具体数值。 9. **功率损耗与温度管理**：芯片支持在25°C时的功率消耗，并给出温度范围和存储温度的极限。 - 功率损耗（Ptot）在指定条件下的额定值。 - 安装扭矩（M3和M3.5螺丝）也有具体要求。 SPP04N80C3是一款高性能的高压功率晶体管，适合在工业环境中实现高效、可靠的电力转换和控制，其设计注重了耐用性、能效和环保要求。在选择和使用这款芯片时，务必参考其详细规格和极限条件，确保与实际应用匹配。