SI2312CDS-T1-GE3-SOT23-3封装高性能20V N沟道MOSFET
SI2312CDS-T1-GE3-SOT23-3封装参数应用概述 SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道20V电压等级的Trench FET(沟槽型场效应晶体管)MOSFET,它符合RoHS指令2002/95/EC,是一款环保型器件。该器件由Halogen-free材料制成,按照IEC 61249-2-21标准定义,旨在提供高效、低功耗的解决方案。 主要特性包括: 1. 电压耐受性:N-Channel MOSFET的耐压可达20V( Drain-Source Voltage, VDS),这意味着它可以承受高达20伏特的直流电压。同时,门极-源极电压范围为±12V( Gate-Source Voltage, VGS),提供了宽广的工作电压窗口。 2. 电流能力: - 连续导通电流(室温下):在TJ=150°C的条件下,最大连续导通电流为6安培( Continuous Drain Current, ID,在25°C时为6A,随着温度升高,如70°C时降低至5.1A)。 - 脉冲电流限制:器件允许的最大脉冲导通电流为20A( Pulsed Drain Current, IDM)。 - 源极-漏极二极管电流:连续源极-漏极二极管电流在25°C时为1.75A( Continuous Source-Drain Diode Current, IS)。 3. 散热与功率管理: - 最大功率消耗:在25°C时,允许的最大功率损耗为2.1W。随着温度升高,如70°C时降为1.3W,70°C以上进一步降低。 - 热管理:操作结和储存温度范围为-55°C至150°C,确保了器件在极端条件下的稳健工作。 4. 封装与尺寸:这款MOSFET采用SOT-23封装,占用空间小,适合于紧凑型设计。封装上标有“1”代表引脚1,“2”代表引脚2,“3”代表引脚3,顶部视图显示了封装的排列。 5. 使用注意事项: - 包装限制可能导致性能差异,如在1"x1" FR4板上表面安装时需注意。 - 高温下的操作条件可能有限制,例如5秒内的热时间常数t=5s。 - 最大稳定状态下,功率密度不超过125°C/W。 SI2312CDS-T1-GE3-SOT23-3是一款适用于DC-DC转换器和便携式应用负载开关的理想选择,具有优良的热性能和可靠性,适合在各种电子系统中实现高效的功率控制。在使用时,请务必遵循制造商提供的温度限制和推荐的焊接工艺。
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