英飞凌IPD055N08NF2S MOSFET技术规格详述

"IPD055N08NF2S INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 本文档是英飞凌科技公司（INFINEON）的IPD055N08NF2S MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的中文规格书。该芯片是一款N沟道、正常电平的StrongIRFETTM 2功率晶体管，适用于广泛的电子应用。以下是这款芯片的主要特性和关键参数： **特点：** 1. **优化应用于多种场合** 2. **N沟道设计** 3. **通过100%雪崩测试，确保耐用性** 4. **采用无铅电镀，符合RoHS（有害物质限制）标准** 5. **符合IEC61249-2-21的卤素免费要求** **关键性能参数：** 1. **最大漏源电压（VDS）：80V** 这表示在正常工作条件下，晶体管能承受的最大电压差，从漏极到源极。 2. **最大开启电阻（RDS(on)）：5.5毫欧** RDS(on)是晶体管在完全导通状态下的电阻，数值越小，意味着流过晶体管的电流在相同电压下损耗越小。 3. **连续漏电流（ID）：98A** 这是晶体管在额定温度和电压下可以安全通过的最大直流电流。 4. **栅极电荷（Qg）：36nC** Qg是开启或关闭晶体管所需的整体电荷量，影响开关速度和功率损失。 5. **体电荷（Qoss）：44nC** Qoss是在开关过程中存储和释放的电荷，与开关损耗相关。 **封装信息：** IPD055N08NF2S芯片采用PG-TO252-3封装，标记为055N08NS。 规格书中还包含了其他重要信息，如**最大额定值**，包括在特定环境温度（例如TA=25°C）下的工作条件；**热特性**，涉及芯片的散热能力；**电气特性**，详细列出了芯片在不同条件下的行为；**电气特性图表**，提供了这些特性的图形表示；以及**封装轮廓**，用于指导安装和焊接。 **修订历史**部分记录了规格书的更新情况，而**商标**和**免责声明**部分则分别介绍了相关的知识产权信息和使用产品的法律条款。 IPD055N08NF2S是一款高性能的功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电子设计，例如电源管理、电机控制、开关电源等应用。其优化的设计和严格的测试标准确保了在各种应用中的稳定表现。