NTR4170NT1G MOSFET：特性、应用与关键参数

"NTR4170NT1G-VB MOSFET是一款N沟道、30V的功率MOSFET，适用于DC/DC转换器等应用。该器件采用TrenchFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)在10V时为30mΩ，在4.5V时为33mΩ），并且100%通过栅极电阻测试，符合RoHS指令。封装形式为SOT23，最大持续漏源电流ID在不同温度下有所变化，最大功率耗散和热特性也有明确限制。" NTR4170NT1G-VB MOSFET是一款由氮化硅半导体技术制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它的主要特点在于其TrenchFET结构，这是一种利用沟槽技术来提高MOSFET的开关性能和降低导通电阻的技术。TrenchFET设计使得该器件在保持小型化的同时，能够处理较高的电流并提供低损耗。 在电气特性方面，这款MOSFET的最大漏源电压VDS为30V，这意味着它能够在不超过30V的电压下正常工作。其导通电阻RDS(on)在10V的栅极电压下为30mΩ，而在4.5V的栅极电压下为33mΩ。这表示在导通状态下，流过6.5A的电流时，电阻非常小，导致功耗较低，适合高效能的应用。 该器件的栅极源电压VGS允许的范围是±20V，确保了宽泛的工作条件。同时，它在不同温度下的连续漏源电流ID有所不同，如在25°C时可达到6.5A，而在70°C时则降至6.0A。脉冲漏源电流IDM的最大值为25A，表明它可以处理短暂的大电流脉冲。 在热管理方面，NTR4170NT1G-VB MOSFET的最大功率耗散在25°C时为1.7W，在70°C时降至1.1W。这意味着在使用时需要考虑散热措施，以确保器件不会过热。其结温及储存温度范围是-55°C到150°C，焊接推荐的峰值温度为260°C。 此外，NTR4170NT1G-VB还具有内置的源漏二极管，其在25°C时的最大连续电流IS为1.4A，但这个值在特定条件下会下降。该器件也满足RoHS指令，不含卤素，符合环保标准。 NTR4170NT1G-VB MOSFET是一款适合于电源转换应用的高性能、低导通电阻的MOSFET，其设计考虑了效率、尺寸和热管理，适用于需要高效率和紧凑封装的电子设备。