NTR4170NT1G MOSFET:特性、应用与关键参数
"NTR4170NT1G-VB MOSFET是一款N沟道、30V的功率MOSFET,适用于DC/DC转换器等应用。该器件采用TrenchFET技术,具有低导通电阻(RDS(on)在10V时为30mΩ,在4.5V时为33mΩ),并且100%通过栅极电阻测试,符合RoHS指令。封装形式为SOT23,最大持续漏源电流ID在不同温度下有所变化,最大功率耗散和热特性也有明确限制。" NTR4170NT1G-VB MOSFET是一款由氮化硅半导体技术制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它的主要特点在于其TrenchFET结构,这是一种利用沟槽技术来提高MOSFET的开关性能和降低导通电阻的技术。TrenchFET设计使得该器件在保持小型化的同时,能够处理较高的电流并提供低损耗。 在电气特性方面,这款MOSFET的最大漏源电压VDS为30V,这意味着它能够在不超过30V的电压下正常工作。其导通电阻RDS(on)在10V的栅极电压下为30mΩ,而在4.5V的栅极电压下为33mΩ。这表示在导通状态下,流过6.5A的电流时,电阻非常小,导致功耗较低,适合高效能的应用。 该器件的栅极源电压VGS允许的范围是±20V,确保了宽泛的工作条件。同时,它在不同温度下的连续漏源电流ID有所不同,如在25°C时可达到6.5A,而在70°C时则降至6.0A。脉冲漏源电流IDM的最大值为25A,表明它可以处理短暂的大电流脉冲。 在热管理方面,NTR4170NT1G-VB MOSFET的最大功率耗散在25°C时为1.7W,在70°C时降至1.1W。这意味着在使用时需要考虑散热措施,以确保器件不会过热。其结温及储存温度范围是-55°C到150°C,焊接推荐的峰值温度为260°C。 此外,NTR4170NT1G-VB还具有内置的源漏二极管,其在25°C时的最大连续电流IS为1.4A,但这个值在特定条件下会下降。该器件也满足RoHS指令,不含卤素,符合环保标准。 NTR4170NT1G-VB MOSFET是一款适合于电源转换应用的高性能、低导通电阻的MOSFET,其设计考虑了效率、尺寸和热管理,适用于需要高效率和紧凑封装的电子设备。
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